公开(公告)号：CN1292480C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN03104439.5

申请日：2003-02-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 市毛正之 ,  桥本耕治 ,  久慈龙明 ,  森诚一 ,  白田理一郎 ,  竹内祐司 ,  作井康司

IPC: H01L27/10 ,  G11C14/00 ,  G11C11/34 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种非易失性半导体存储装置，其特征在于：具有：配置在行方向的多条字线；配置在与字线正交的列方向的位线；配置在列方向，并且具有通过多条字线的任意一条，分别控制电荷存储状态的电荷存储层的存储单元晶体管；在存储单元晶体管的排列的一端一侧，在列方向相邻配置，并且选择排列的存储单元晶体管的多个第一选择晶体管；连接了第一选择晶体管的各栅极的第一选择栅布线。

公开(公告)号：CN1519938A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN03104439.5

申请日：2003-02-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 市毛正之 ,  桥本耕治 ,  久慈龙明 ,  森诚一 ,  白田理一郎 ,  竹内祐司 ,  作井康司

IPC: H01L27/10 ,  G11C14/00 ,  G11C11/34 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种非易失性半导体存储装置，其特征在于：具有：配置在行方向的多条字线；配置在与字线正交的列方向的位线；配置在列方向，并且具有通过多条字线的任意一条，分别控制电荷存储状态的电荷存储层的存储单元晶体管；在存储单元晶体管的排列的一端一侧，在列方向相邻配置，并且选择排列的存储单元晶体管的多个第一选择晶体管；连接了第一选择晶体管的各栅极的第一选择栅布线。