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公开(公告)号：CN1302512C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN02812684.X
申请日：2002-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 黑崎播磨株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/45568 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01L21/3065
Abstract: 在一种等离子体处理装置中，一种具有三维网状网状结构的陶瓷多孔材料被用作为等离子体处理装置的电极元件材料，其中由含氧化铝的陶瓷所形成的框架部分被连续设置成类似一种三维网状物，该电极元件待安装于用于产生等离子体的电极的气体供给喷口的正面，并且使用于产生等离子体的气体通过以不规则方式形成于三维网状结构上的开孔部分。结果，使供给的气体分布均匀，以便防止异常放电，可进行无偏差的均匀蚀刻。
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公开(公告)号：CN1520604A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN02812684.X
申请日：2002-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 黑崎播磨株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/45568 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01L21/3065
Abstract: 在一种等离子体处理装置中，一种具有三维网状网状结构的陶瓷多孔材料被用作为等离子体处理装置的电极元件材料，其中由含氧化铝的陶瓷所形成的框架部分被连续设置成类似一种三维网状物，该电极元件待安装于用于产生等离子体的电极的气体供给喷口的正面，并且使用于产生等离子体的气体通过以不规则方式形成于三维网状结构上的开孔部分。结果，使供给的气体分布均匀，以便防止异常放电，可进行无偏差的均匀蚀刻。
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公开(公告)号：CN103140922A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201280003129.7
申请日：2012-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 岩井哲博
IPC: H01L21/677 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: B05C13/00 , B44C1/227 , C23C16/50 , H01L21/6732 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/681 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明公开一种实现等离子处理装置的小型化或设置面积的减少的等离子处理装置。干蚀刻装置(1)具备贮存部(13)，该贮存部(13)包含收纳有托盘(3)的盒(62)，该托盘(3)收容有基板(2)且可搬运。在收容有托盘(3)的搬运机构(15)的搬运部(12)内设置旋转台(33)。使载置有干蚀刻前的托盘(3)的旋转台(33)旋转，通过凹口检测传感器(44)检测凹口(3c)，由此进行托盘(3)的旋转角度位置调整。
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公开(公告)号：CN1669109A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03817044.2
申请日：2003-07-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/6831
Abstract: 在对硅片(6)进行冷却的状态下对该硅片进行等离子体处理的等离子体处理设备中，由第一电极(3)借助于静电吸引保持粘接有保护膜(6a)的硅片(6)，第一电极(3)的顶表面(3g)由位于边界线(P2)内侧的顶表面中心区(A)和包围顶表面中心区(A)的环形顶表面周边区(B)构成，所述边界线从硅片(6)的外周边(P1)向内距离规定的长度，顶表面中心区中的导体被露出，环形顶表面周边区中的导体用绝缘涂层(3f)覆盖。这种结构通过使硅片(6)与导体直接接触而可以利用足够的静电保持力来保持硅片(6)，并且通过从硅片(6)向第一电极(3)传导热量可以提高冷却效率。
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公开(公告)号：CN101120430B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200680005059.3
申请日：2006-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 岩井哲博
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32559 , H01J2237/334
Abstract: 在一种通过设置板状工件作为目标进行等离子体处理的等离子体处理设备中，紧靠工件的下表面的电极构件(46)通过焊接冷却板(44)和具有多个通孔(45a)的板状抽吸构件(45)而构成，通过喷涂氧化铝获得的喷涂膜(65)形成于抽吸构件(45)的上表面上，此外，通孔(45a)形成的孔部分(45d)的边缘用喷涂膜(65)覆盖。从而，可以减少由于溅射的电极构件的消耗以延长寿命，因此降低部件消耗成本并防止设备的内部被散布的物质污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1380685A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02105984.5
申请日：2002-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/3299
Abstract: 一种等离子体处理装置和使用该装置的等离子体处理方法,在气体供给过程中,在开闭气体供给路径的气体开关阀打开之前,由主控制部将流量设定指令信号设定为零流量,并向质量流量控制器输出,在气体开关阀为打开状态后,把流量设定指令信号设定为规定流量并输出,从而,能够解决在气体流入的初始状态,等离子体产生用气体一时供给过剩的问题。
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公开(公告)号：CN103094043A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210436576.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有简单的装置结构而实现小型化，且能够有效降低基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差的等离子体处理装置。干式蚀刻装置(1)的腔室(5)具备：具有顶壁(8)、底壁(7)、侧壁(9)、端壁(11)及开口端(12)的一体结构的腔室主体(6)；封闭开口端(12)的盖体(16)。在处理对象物支承台(26)的基座(31)的侧部(31a)设有凹部(51)，该凹部(51)确保气体在端壁(11)和处理对象物支承台(26)间流动的充分空间。
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公开(公告)号：CN100429739C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN03817044.2
申请日：2003-07-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 在对硅片(6)进行冷却的状态下对该硅片进行等离子体处理的等离子体处理设备中，由第一电极(3)借助于静电吸引保持粘接有保护膜(6a)的硅片(6)，第一电极(3)的顶表面(3g)由位于边界线(P2)内侧的顶表面中心区(A)和包围顶表面中心区(A)的环形顶表面周边区(B)构成，所述边界线从硅片(6)的外周边(P1)向内距离规定的长度，顶表面中心区中的导体被露出，环形顶表面周边区中的导体用绝缘涂层(3f)覆盖。这种结构通过使硅片(6)与导体直接接触而可以利用足够的静电保持力来保持硅片(6)，并且通过从硅片(6)向第一电极(3)传导热量可以提高冷却效率。
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公开(公告)号：CN101116167A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004555.7
申请日：2006-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 岩井哲博
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623
Abstract: 在一种在半导体晶片(5)上进行等离子体处理的等离子体处理设备中，提供有电极构件(46)的下电极(3)布置于作为真空腔(2)的主体的腔容器(40)的底部(40c)中，且上电极(4)布置在下电极(3)上方以上下移动，上电极(4)提供有从其下面向其外部边缘部分(51a)向下突出到外部边缘部分的下面的突出面。上电极(4)向下朝下电极(3)移动以使外部边缘部分(51a)与形成于腔容器(40)的侧壁部分(40a)中的中间水平(HL)的环形气密密封面(40d)接触，藉此在下电极(3)和上电极(4)之间形成气密密封处理空间(2a)。因此，常压空间(2b)在上电极(4)上方形成，且防止异常放电的发生，这样使得能够高效地进行稳定的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN1516890A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02811860.X
申请日：2002-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J2237/20 , H01L21/3065 , H01L21/6833
Abstract: 在一种用于对硅晶片(6)实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该硅晶片(6)具有粘附于电路形成面上的保护带(6a)，且该硅晶片(6)安装于一安装表面(3d)上，该安装表面设置于由导电金属形成的下电极(3)的上表面上，且保护带(6a)转向该安装表面(3d)。当一直流电压藉由供静电吸附用的直流电源部(18)施加于下电极(3)上以在等离子体处理中吸附且固定该硅晶片(6)于该下电极(3)上时，该保护带(6a)被用作供静电吸附用的介电材料。因而，该介电材料可尽量地薄，且该硅晶片(6)可被足够的静电保持力固定。
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