公开(公告)号：CN1276501C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN03154691.9

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  夏目进也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31053 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：在形成于衬底(10)上的第1绝缘层(4)和形成于第1绝缘层中的多个接触栓塞(3)上形成导电层(5)；对导电层进行构图而形成多个电容元件下部电极(6)；在第1绝缘层和电容元件下部电极上形成第2绝缘层(8)；在电容元件下部电极的上部区域的第2绝缘层中形成凹部(12)；对第2绝缘层进行研磨而使其平坦化；露出电容元件下部电极；以及在电容元件下部电极的上部形成电容绝缘膜和电容元件上部电极。在第2绝缘层的研磨时促进阶梯差缓和，抑制研磨残留、下部电极的剥离及损伤的产生，并且可降低总阶梯差。

公开(公告)号：CN100563008C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200510070086.6

申请日：2005-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：相互留着间隔形成在半导体衬底上的第一杂质扩散层和第二杂质扩散层、第一层间绝缘膜、第一接触插塞、第二层间绝缘膜、第一开口部以及由形成在第一开口部的壁部、底部与第一接触插塞的上端电连接的第一金属膜(下电极)、铁电体膜(电容绝缘膜)及第二金属膜(上电极)构成的电容元件。第二杂质扩散层和上电极，通过第二接触插塞和形成在第二开口部的壁部、底部的第二金属膜电连接。因此，在具有立体层叠型结构的介电存储元件中，能实现把上电极的电位引出到扩散层的结构。

公开(公告)号：CN1610119A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410086599.1

申请日：2004-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 久都内知惠 ,  三河巧 ,  十代勇治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 在提高具有沉积层构造的导电性阻挡层的阻挡氧元素性的同时，防止在具有沉积层构造的导电性阻挡层上生成浮起或者是剥离得到接触电阻的安定化。半导体装置，具有与电容元件(21)和晶体管的源极区域或者是漏极区域(13)电连接的针型接触点(15)，形成在该针型接触点(15)上的只是高熔点金属氮化物的氮化钛形成的导电层(16A)，氮化钛铝膜，铱膜，氧化铱膜的沉积层形成的防止氧元素扩散的多结晶状导电性氧阻挡层(17)。通过将由结晶定向性低的氮化钛形成的导电层16A设置在导电性氧阻挡层17的下侧，在导电层16A直接上面形成的导电性氧阻挡膜的氮化钛铝膜就会成为致密的膜构造，可以有效地防止氧元素的侵入。

公开(公告)号：CN1187829C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN98124908.6

申请日：1998-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  上本康裕 ,  十代勇治 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507

Abstract: 半导体器件含有：一硅基底；其上的一MOS半导体器件，该器件最外层表面上有一硅化物区；一覆盖该器件的第一绝缘膜；一在第一绝缘膜上的电容器元件，该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜，该膜包含铁电材料；一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜；一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔；一第二绝缘膜上的互连层，该层使MOS器件与电容器元件电连接，互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。

公开(公告)号：CN1155092C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99109287.2

申请日：1999-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  佐佐井洋一 ,  十代勇治 ,  野间淳史

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在覆盖衬底(11)上的晶体管(17)的绝缘膜(19)的接触孔(19a)中，撇开该接触孔19a的内部和上部，在其壁面和漏极区(15)上方形成有由铱构成的、膜厚约为0.1μm的底层导电膜(20)；在接触孔(19a)的内部和上部填充有铂而形成了插塞(21)。在绝缘膜(19)的接触孔(19a)上，形成有与底层导电膜(20)及插塞(21)的上端面接触并包括由铂构成的下部电极(25)、由SrBi2Ta2O9构成的电容绝缘膜(26)以及由铂构成的上部电极(27)的电容元件(28)。

公开(公告)号：CN1469477A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03136291.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  Y10T29/43

Abstract: 提供一种容量元件及其制造方法。所述容量元件是在半导体基板100形成的层间绝缘膜101上形成容量元件，是由白金组成的下面电极102、吸留氢气的元素比如钛元素包含在结晶粒界面、晶格间的位置或空穴的SBT(SrTaBiO)组成的容量绝缘膜103、由白金组成的上面电极104等的层叠体所组成。即使是对强电介质电容实施氢气气氛中的热处理，构成容量绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的极化特性不降低。

公开(公告)号：CN1469440A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03140742.0

申请日：2003-06-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夏目进也 ,  三河巧 ,  十代勇治

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/304 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法，本发明的半导体器件的制造方法具有以下工序，形成绝缘膜(107)以便覆盖被图形化的含有贵金属的膜(106)，通过化学机械研磨对上述绝缘膜(107)进行研磨。采用这种方法就不会有裂痕、含有贵金属的膜变形及剥离的发生，在含有贵金属的膜上不残留膜地埋入含有贵金属的膜。

公开(公告)号：CN100470806C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200480000228.5

申请日：2004-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  久都内知惠

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：第一氢阻挡膜，在第一氢阻挡膜上形成的电容元件，以覆盖电容元件的方式形成的第二氢阻挡膜。第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜至少包含1个使第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜密接的同一种原子。

公开(公告)号：CN100377357C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200410086599.1

申请日：2004-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 久都内知惠 ,  三河巧 ,  十代勇治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 在提高具有沉积层构造的导电性阻挡层的阻挡氧元素性的同时，防止在具有沉积层构造的导电性阻挡层上生成浮起或者是剥离得到接触电阻的安定化。半导体装置，具有与电容元件(21)和晶体管的源极区域或者是漏极区域(13)电连接的针型接触点(15)，形成在该针型接触点(15)上的只是高熔点金属氮化物的氮化钛形成的导电层(16A)，氮化钛铝膜，铱膜，氧化铱膜的沉积层形成的防止氧元素扩散的多结晶状导电性氧阻挡层(17)。通过将由结晶定向性低的氮化钛形成的导电层(16A)设置在导电性氧阻挡层17的下侧，在导电层(16A)直接上面形成的导电性氧阻挡膜的氮化钛铝膜就会成为致密的膜构造，可以有效地防止氧元素的侵入。

公开(公告)号：CN1862814A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200510070086.6

申请日：2005-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：相互留着间隔形成在半导体衬底上的第一杂质扩散层和第二杂质扩散层、第一层间绝缘膜、第一接触插塞、第二层间绝缘膜、第一开口部以及由形成在第一开口部的壁部、底部与第一接触插塞的上端电连接的第一金属膜(下电极)、铁电体膜(电容绝缘膜)及第二金属膜(上电极)构成的电容元件。第二杂质扩散层和上电极，通过第二接触插塞和形成在第二开口部的壁部、底部的第二金属膜电连接。因此，在具有立体层叠型结构的介电存储元件中，能实现把上电极的电位引出到扩散层的结构。