公开(公告)号：CN100555638C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200410074831.X

申请日：2004-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 后藤觉 ,  长野能久

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/82

Abstract: 一种半导体装置，电容元件(15)具有：表面形成凹部(11a)的基底绝缘层(11)，在基底绝缘层(11)上沿着凹部(11a)的内壁形成的下部电极(12)，在该下部电极(12)上形成的、由高电介体或铁电体构成的电容绝缘膜(13)，在该电容绝缘膜(13)上形成的上部电极(14)。将基底绝缘层(11)的凹部(11a)中的壁面的上端部及该凹部(11a)中的底面的拐角部弄成圆形。能够防止起因于对具有立体形状的电容元件进行热处理时的电极的断线。

公开(公告)号：CN100365816C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200510006303.5

申请日：2005-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  三河巧

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75

Abstract: 在由氢阻挡膜覆盖的电容元件的结构中，防止高段差的产生。在由下部电极(21)、与所述下部电极(21)相面对形成的上部电极(24)以及电容绝缘膜(22)构成的电容元件中，所述电容绝缘膜(22)由在所述下部电极(21)和所述上部电极(24)之间形成的强电介质或者高电介质构成，所述下部电极(21)、所述电容绝缘膜(22)和所述上部电极(24)被形成至少在从其上面配置了第一氢阻挡膜(17)的层间绝缘膜(16)上所设置的孔(18)的内部的孔上方，配置与第一氢阻挡膜(17)相接的第二氢阻挡膜(26)使得覆盖上部电极(24)的上面以及在该上部电极(24)当中在孔(18)的上方所形成的部分侧面。

公开(公告)号：CN1180465C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01117608.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN1126175C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN99127744.9

申请日：1999-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  田中圭介 ,  那须彻

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 一种半导体存储器件包括：一个含晶体管的半导体衬底；第一保护性绝缘薄膜；至少一个数据存储电容器元件；第二保护性绝缘薄膜；一个氢阻挡层；和一个互连层，用于电连接晶体管和电容器元件，其中，电容器元件包括：一个下电极，它形成在第一保护性绝缘薄膜上；一层电容器薄膜，它形成在下电极上；一个上电极，它形成在电容器薄膜上，电容器薄膜包括一种绝缘金属氧化物，第二保护性绝缘薄膜具有到达上电极的第一接触孔和到达下电极的第二接触孔，氢阻挡层设置在第一和第二接触孔中，以不暴露上电极和下电极。

公开(公告)号：CN1076517C

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN95103180.5

申请日：1995-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松元省二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  井筒康文

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其工序包括，在硅基片上形成氧化硅膜、第1白金膜、介质以及第2白金膜，在1～5Pa低压范围，用溴化氢和氧的混合气体作为蚀刻气体，通过抗蚀保护层膜干刻白金膜及介质。露出第1白金膜时，在5～50Pa高压范围，刻除第1白金膜上未蚀介质后，再在低压范围内干刻第1白金膜，从而在半导体集成电路芯片上形成由上电极、电容绝缘膜和下电极构成的电容元件。此方法解决了掩膜图案清晰度差和电路元件工作欠佳等问题。

公开(公告)号：CN1591871A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068220.4

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明涉及电容元件及半导体存储装置，电容元件(22)，具有立体形状的下部电极(19)，和该下部电极(19)相对形成的上部电极(21)，和在下部电极(19)和上部电极(21)之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜(20)。电容绝缘膜(20)的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下，进一步，铁电体具有多结晶结构时，其结晶粒径设定在12.5nm以上而且在200nm以下。从而在具有立体形状的下部电极和由铁电体构成的电容绝缘膜的电容元件及使用它的半导体存储装置中，通过简易的方法，防止铁电体中的极化特性劣化，不给电容元件的数据保持特性带来不良影响。

公开(公告)号：CN1184691C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN01104073.4

申请日：2001-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  那须彻 ,  森慎一郎 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明的半导体存储器件的存储电容器(2)，由下部电极(8)、电容绝缘膜(9)、上部电极(12)构成，其下部电极(8)由第1阻挡膜(6)和第2阻挡膜(7)组成。第1阻挡膜(6)，由从上层开始的Ir膜/TiAlN膜/Ti膜的叠层膜组成。第2阻挡膜(7)，由从上层开始Pt膜/IrO2膜的叠层膜形成，是为了完全覆盖第1阻挡膜(6)而设置的。据此，能够阻滞来自第1阻挡膜(6)的侧面的氧扩散，就能够防止因连接柱(11)氧化而发生的接触不良。

公开(公告)号：CN1173403C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN98103420.9

申请日：1998-07-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  松田明浩 ,  井筒康文 ,  伊东丰二 ,  三河巧 ,  那须彻 ,  长野能久 ,  田中圭介 ,  久都内知惠

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部，形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上，形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。

公开(公告)号：CN1107345C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97121332.1

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/324 ,  H01L21/30 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体器件制造方法。本发明的半导体器件制造方法，在形成电极配线后还包括：形成覆盖所述电极配线的第二层间绝缘膜(59)的工序；除去位于所述电容元件上部的第二层间绝缘膜(59)的工序；热处理所述电容元件的工序；以及形成覆盖所述电极配线的保护膜(55)的工序。通过上述步骤，即便所增加的第二层间绝缘膜(59)中含氢等，也能够防止氢对电容元件造成不良影响。

公开(公告)号：CN1315191C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200410068220.4

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明涉及电容元件及半导体存储装置，电容元件(22)，具有立体形状的下部电极(19)，和该下部电极(19)相对形成的上部电极(21)，和在下部电极(19)和上部电极(21)之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜(20)。电容绝缘膜(20)的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下，进一步，铁电体具有多结晶结构时，其结晶粒径设定在12.5nm以上而且在200nm以下。从而在具有立体形状的下部电极和由铁电体构成的电容绝缘膜的电容元件及使用它的半导体存储装置中，通过简易的方法，防止铁电体中的极化特性劣化，不给电容元件的数据保持特性带来不良影响。