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1.

发明授权
半导体存储器件失效转让

公开(公告)号：CN1184691C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN01104073.4

申请日：2001-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 , 那须彻 , 森慎一郎 , 藤井英治

IPC: H01L27/10 , H01L27/108

CPC classification number: H01L28/75 , H01L27/10852 , H01L28/55

Abstract: 本发明的半导体存储器件的存储电容器(2)，由下部电极(8)、电容绝缘膜(9)、上部电极(12)构成，其下部电极(8)由第1阻挡膜(6)和第2阻挡膜(7)组成。第1阻挡膜(6)，由从上层开始的Ir膜/TiAlN膜/Ti膜的叠层膜组成。第2阻挡膜(7)，由从上层开始Pt膜/IrO2膜的叠层膜形成，是为了完全覆盖第1阻挡膜(6)而设置的。据此，能够阻滞来自第1阻挡膜(6)的侧面的氧扩散，就能够防止因连接柱(11)氧化而发生的接触不良。

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