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公开(公告)号：CN1345088A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01117608.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括:在基片上形成钛膜的粘接层,在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层,以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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公开(公告)号：CN1180465C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN01117608.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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公开(公告)号：CN1113399C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN97114973.9
申请日：1997-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 株式会社高纯度化学研究所 , 西梅特里克司有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/40 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , H01L28/55 , H01L28/56
Abstract: 以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料，用CVD等分子沉积法或旋转涂布-烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC2H5)6]2和Bi(OC(CH3)2C2H5)3。第1供给系统(1a，16a)保持在150℃，第2供给系统(1b、16b)保持在80℃，通过将载气N2流入第1和第2供给系统，将上述二原料的蒸汽导入成膜室5内。同时，向其导入氧气，在已加热的Si基片8上使上述二蒸汽热分解。
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公开(公告)号：CN1103116C
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN96192611.2
申请日：1996-03-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 吾妻正道 , 拉里·D·麦克米兰 , 卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 , 迈克尔·C·斯科特
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , C23C18/14 , C30B7/00 , C30B29/68 , H01L27/10805 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28)，同时用波长为180nm-300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤，同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后，薄膜在700℃-850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者，对液体前体进行UV辐射，薄膜可以用UV辐射退火，或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。
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公开(公告)号：CN1083161C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN95194766.4
申请日：1995-06-30
Applicant: 西梅特里克司有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/316
CPC classification number: H01L27/11502 , C23C18/1216 , C23C18/1295 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 一种制造集成电路电容器(10，20，30)的方法，其中用的介电层(15，26，37)包括具有添加的过量的A-位和B-位材料，如钡及钛的BST。制备一种有机金属皂或金属皂前体溶液(P42)，前体溶液包含掺入过量的A-位及B-位材料如钡及钛的纯度高于99.999%的BST备用溶液，钡的含量为0.01-100mol%，钛的含量为0.01-100mol%。然后进行二甲苯交换(P44)来调节对基底转涂用的溶液的粘度。前体溶液转涂在第1个电极上(P45)，在400℃干燥(P46)2到10分钟，然后在650℃到800℃热处理(P47)约1小时以形成含过量的钛的BST层。淀积(P48)上第2个电极，刻制图形(P49)并在650℃及800℃之间热处理约30分钟。所得的电容器(10，20，30)的介电常数增大，而漏电电流几乎不变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1132246C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN97119623.0
申请日：1997-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C29/50016 , G11C11/22 , G11C29/50 , G11C2029/5002
Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中，求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式，t1＝t2m，而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。
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公开(公告)号：CN1127755C
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN96192642.2
申请日：1996-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 塞姆特里克斯公司
Inventor： 吾妻正道 , 卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 , 拉里·D·麦克米兰
IPC: H01L21/3205 , C04B35/622
CPC classification number: C23C16/448 , C04B35/62227 , C23C16/45561 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68 , H01L21/314 , H01L21/31691 , H01L27/10805 , H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分，能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分，和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。
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公开(公告)号：CN1075243C
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN95119333.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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公开(公告)号：CN1326085C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN99811686.6
申请日：1999-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 吾妻正道
IPC: G06K19/073 , G06K17/00
CPC classification number: G06K19/073 , G06K19/0707 , G06K19/0712 , H04L9/3273 , H04L2209/56 , H04L2209/805
Abstract: 在IC卡1的集成器件内，备有在将可携带体配置于终端装置发射的电波的电波区内并由上述天线供给电力时通过该电力供给而进行访问的非易失性存储器12及通过与第1终端装置协调而进行双向认证的密码电路10。与此同时，在集成器件内，还备有仅当将可携带体配置于靠近终端装置具有的天线并从天线向可携带体侧供给更大的电力时通过该电力供给而进行访问的非易失性存储器13及通过与第1终端装置协调而进行双向认证的密码电路11。如将严格要求保密性的个人信息存储在该非易失性存储器13内并由密码电路11进行访问该非易失性存储器13时的双向认证，则个人信息的保护将万无一失。
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公开(公告)号：CN1187829C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN98124908.6
申请日：1998-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/76895 , H01L27/11507
Abstract: 半导体器件含有：一硅基底；其上的一MOS半导体器件，该器件最外层表面上有一硅化物区；一覆盖该器件的第一绝缘膜；一在第一绝缘膜上的电容器元件，该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜，该膜包含铁电材料；一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜；一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔；一第二绝缘膜上的互连层，该层使MOS器件与电容器元件电连接，互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。
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