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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1103116C
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN96192611.2
申请日：1996-03-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 吾妻正道 , 拉里·D·麦克米兰 , 卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 , 迈克尔·C·斯科特
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , C23C18/14 , C30B7/00 , C30B29/68 , H01L27/10805 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28)，同时用波长为180nm-300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤，同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后，薄膜在700℃-850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者，对液体前体进行UV辐射，薄膜可以用UV辐射退火，或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。
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公开(公告)号：CN1252779A
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN98804185.5
申请日：1998-03-12
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
CPC classification number: H01J9/20 , C03C17/25 , C03C2217/228 , C03C2218/11 , H01J2209/012 , H01J2211/40
Abstract: 提出一种在等离子体显示器(100)上制造氧化镁层(122)的新方法(P200)。将羧化镁液态前体溶液加在显示面板(102)上,进行干燥退火处理,形成一层具有很好的光电性能的固体氧化镁层。
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公开(公告)号：CN1231063A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN97197971.5
申请日：1997-08-18
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C18/12
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C18/1216 , C23C18/1225
Abstract: 制备一种溶于二甲苯/甲基乙基酮溶剂中的包含几种2－乙基己酸金属,例如2－乙基己酸锶、钽和铋的原液,在一个真空淀积室(2)内放置一个基底(5,858),在原液中添加少量六甲基乙硅氮烷,并予以雾化,以及使云雾流进淀积室内以在基底上淀积一层原液。对该原液进行干燥、焙烤和退火,以在基底上形成一个分层超晶格材料,例如钽酸锶铋的薄膜(506,860)。然后使分层超晶格材料薄膜的至少一部分含在集成电路的一个元件(604,872)中,从而完成一个集成电路(600,850)。
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公开(公告)号：CN1213457A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN97193062.7
申请日：1997-03-14
Inventor： 拉里·D·麦克米伦 , 迈克尔·C·斯科特 , 阿劳约·卡洛斯·A·帕兹德 , 大槻达男 , 林慎一郎
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/316 , B05D1/00 , B05D1/60 , B05D3/0493 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1212 , C23C18/1287 , C23C18/14 , C23C26/02 , C30B7/00 , C30B29/68 , H01L21/314 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L41/316 , H05K3/105
Abstract: 制备一种包括在二甲苯溶剂中的硅的前体液体(64),衬底(5,71)放置到真空沉淀室(2)中,前体液体被雾化,并在将沉淀室维持在室温时将雾气(66)流入沉淀室中,以在衬底上沉淀前体液体层。此液体被干燥、烘干、以及退火,以在衬底上形成二氧化硅或硅玻璃的薄膜(1224,77)。然后,完成集成电路(100),以便至少包括一部分二氧化硅或硅玻璃作为集成电路中电子设备(76)的绝缘体(77)。
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公开(公告)号：CN1179231A
公开(公告)日：1998-04-15
申请号：CN96192611.2
申请日：1996-03-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
Inventor： 吾妻正道 , 拉里·D·麦克米兰 , 卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 , 迈克尔·C·斯科特
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , C23C18/14 , C30B7/00 , C30B29/68 , H01L27/10805 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28),同时用波长为180nm－300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤,同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后,薄膜在700℃—850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者,对液体前体进行UV辐射,薄膜可以用UV辐射退火,或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。
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