公开(公告)号：CN1231063A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN97197971.5

申请日：1997-08-18

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 加里·F·德本威克 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  纳拉严·索拉亚攀 ,  迈克尔·C·斯科特 ,  卡洛特·A·帕兹德阿罗 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/316 ,  C23C18/12

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225

Abstract: 制备一种溶于二甲苯/甲基乙基酮溶剂中的包含几种2－乙基己酸金属,例如2－乙基己酸锶、钽和铋的原液,在一个真空淀积室(2)内放置一个基底(5,858),在原液中添加少量六甲基乙硅氮烷,并予以雾化,以及使云雾流进淀积室内以在基底上淀积一层原液。对该原液进行干燥、焙烤和退火,以在基底上形成一个分层超晶格材料,例如钽酸锶铋的薄膜(506,860)。然后使分层超晶格材料薄膜的至少一部分含在集成电路的一个元件(604,872)中,从而完成一个集成电路(600,850)。