公开(公告)号：CN1208857A

公开(公告)日：1999-02-24

申请号：CN98108887.2

申请日：1998-04-16

Applicant: 松下电子株式会社

Inventor： 八谷佳明 ,  山西雄司 ,  森吉弘

IPC: G01R17/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H03F3/45479 ,  H01L23/34 ,  H01L2924/0002 ,  H03K5/08 ,  H03K5/2418 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件包括一个比较器,该比较器包括有向其提供检测电压的检测端电路和向其提供参考电压的参考端电路。半导体器件内设置获取检测电压的检测元件,半导体器件外设置获取参考电压的参考元件。检测端电路和参考端电路中至少一个包括与温度有关的调节元件,用于减小检测电压的温度特性和参考电压的温度特性间的差异。

公开(公告)号：CN1217818A

公开(公告)日：1999-05-26

申请号：CN98800229.9

申请日：1998-03-03

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/768 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 一种铁电薄膜电容器(400)具有光滑的电极(412、420),随着铁电电容器老化允许相对较强的极化、较少疲劳及较少印记。光滑电极表面(414、428)是用小心地控制的干燥、轻烘烤及退火条件生成的。

公开(公告)号：CN1213457A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN97193062.7

申请日：1997-03-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子株式会社

Inventor： 拉里·D·麦克米伦 ,  迈克尔·C·斯科特 ,  阿劳约·卡洛斯·A·帕兹德 ,  大槻达男 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/316 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/316 ,  H05K3/105

Abstract: 制备一种包括在二甲苯溶剂中的硅的前体液体(64),衬底(5,71)放置到真空沉淀室(2)中,前体液体被雾化,并在将沉淀室维持在室温时将雾气(66)流入沉淀室中,以在衬底上沉淀前体液体层。此液体被干燥、烘干、以及退火,以在衬底上形成二氧化硅或硅玻璃的薄膜(1224,77)。然后,完成集成电路(100),以便至少包括一部分二氧化硅或硅玻璃作为集成电路中电子设备(76)的绝缘体(77)。

公开(公告)号：CN1215914A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98102652.4

申请日：1998-06-24

Applicant: 松下电子株式会社

Inventor： 长野能久 ,  久都内知惠 ,  十代勇治 ,  上本康裕 ,  藤井英治

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/55 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括:电容器,设置在其上带有一集成电路的支持基底上,含有一下电极、一介电膜和一上电极;第一层间绝缘膜,覆盖住电容器;第一互连极,有选择地设置在第一层间绝缘膜上,通过第一接触孔与集成电路和电容器电连接;第二层间绝缘膜,由臭氧TOES形成,覆盖住第一互连极;第二互连极,有选择地设置在第二层间绝缘膜上,通过第二接触孔与第一互连极电连接;及第三层间绝缘膜,覆盖住第二互连极。