公开(公告)号：CN1103116C

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN96192611.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  拉里·D·麦克米兰 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  迈克尔·C·斯科特

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  C30B7/00 ,  C30B29/68 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28)，同时用波长为180nm-300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤，同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后，薄膜在700℃-850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者，对液体前体进行UV辐射，薄膜可以用UV辐射退火，或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。

公开(公告)号：CN1127755C

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN96192642.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  拉里·D·麦克米兰

IPC: H01L21/3205 ,  C04B35/622

CPC classification number: C23C16/448 ,  C04B35/62227 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分，能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分，和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。

公开(公告)号：CN1179232A

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN96192642.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 松下电子工业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  拉里·D·麦克米兰

IPC: H01L21/3205 ,  C04B35/622

CPC classification number: C23C16/448 ,  C04B35/62227 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分,能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分,和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。

公开(公告)号：CN1199506A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN96194607.5

申请日：1996-06-06

Applicant: 松下电子工业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/92 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明披露了一种薄膜铁电电容器(20),它包括带有粘结金属层(36)和贵金属部分(38)的底电极结构(26)。将该电极(26)沉积在薄膜缓冲层(24)上,所述缓冲层包含层状超点阵材料。将该缓冲层夹在基材(22)和底电极(26)之间。该电容器的制备方法包括:在形成底电极(26)之前,将液体前体沉积在基材(22)上。

公开(公告)号：CN1179231A

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN96192611.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  拉里·D·麦克米兰 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  迈克尔·C·斯科特

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  C30B7/00 ,  C30B29/68 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28),同时用波长为180nm－300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤,同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后,薄膜在700℃—850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者,对液体前体进行UV辐射,薄膜可以用UV辐射退火,或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。