公开(公告)号：CN1180447A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97190141.4

申请日：1997-03-04

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·得阿劳霍

IPC: H01L21/3205

Abstract: 将液体底层涂料雾化并使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。将液体前体(64)雾化,使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。该底层涂料及前体被干燥并形成固体薄膜,然后该薄膜被退火并形成一集成电路(1110)中电子元件(1112)的一部分,例如另一存储器单元中的电介质。底层涂料是一种溶剂,及前体包括前体溶剂中的金属羧酸盐,金属醇盐或金属烷氧基羧酸盐。最好,底层涂料及前体的溶剂是相同的溶剂,如2－甲氧基乙醇、二甲苯类,n－乙酸丁酯及六甲基－二硅氧烷。

公开(公告)号：CN1179232A

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN96192642.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 松下电子工业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  拉里·D·麦克米兰

IPC: H01L21/3205 ,  C04B35/622

CPC classification number: C23C16/448 ,  C04B35/62227 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分,能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分,和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。

公开(公告)号：CN1199506A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN96194607.5

申请日：1996-06-06

Applicant: 松下电子工业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/92 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明披露了一种薄膜铁电电容器(20),它包括带有粘结金属层(36)和贵金属部分(38)的底电极结构(26)。将该电极(26)沉积在薄膜缓冲层(24)上,所述缓冲层包含层状超点阵材料。将该缓冲层夹在基材(22)和底电极(26)之间。该电容器的制备方法包括:在形成底电极(26)之前,将液体前体沉积在基材(22)上。

公开(公告)号：CN1194060A

公开(公告)日：1998-09-23

申请号：CN96196432.4

申请日：1996-08-19

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C18/14 ,  C04B35/62227 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1295 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种MIS器件(20)包括半导体基板(22)、氮化硅缓冲层(24)、铁电体金属氧化物超晶格材料(26)、和贵金属顶电极(28)。该层状的超晶格材料(26)优选是锶铋钽酸盐、锶铋铌酸盐或锶铋铌钽酸盐。该器件按照一种优选的方法构成,该方法包括在层状超晶格材料沉积之前在该半导体基板上形成氮化硅。该层状超晶格材料优选采用在该前体溶液被加热时自发生成层状超晶格的液体聚烷氧化金属有机前体来沉积。在干燥前体液体期间的UV曝露使最终的晶体具有C－轴取向,并导致改进的薄膜电性能。

公开(公告)号：CN1179231A

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN96192611.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  拉里·D·麦克米兰 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  迈克尔·C·斯科特

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  C30B7/00 ,  C30B29/68 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28),同时用波长为180nm－300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤,同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后,薄膜在700℃—850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者,对液体前体进行UV辐射,薄膜可以用UV辐射退火,或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。

公开(公告)号：CN1181840A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN96193301.1

申请日：1996-04-25

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·帕斯·德·阿劳约 ,  约瑟夫·库奇阿罗

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/60

Abstract: 一种集成电路电容器(20)包括底层电极结构(24),该结构具有粘结金属部分(34)、金属部分(36)以及第二贵金属层(40)。制造方法包括在沉积第二贵金属层(40)使退火粘结金属部分(34)和贵金属部分(36)退火,以形成阻挡区(38)。电极(24)优选与金属氧化物层(26)接触,该层由钙钛矿或类钙钛矿的层状超晶格材料制成。形成临时覆盖层(59),并在制造中除掉该层,该层用于使器件潜在的极化率增加至少40%。

公开(公告)号：CN1156518A

公开(公告)日：1997-08-06

申请号：CN95194766.4

申请日：1995-06-30

Applicant: 西梅特里克司有限公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  C·帕斯迪阿劳霍 ,  M·C·斯各特

IPC: H01L21/3205 ,  H01L27/115 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/11502 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1295 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 一种制造集成电路电容器(10，20，30)的方法，其中用的介电层(15，26，37)包括具有添加的过量的A-位和B-位材料，如钡及钛的BST。制备一种有机金属皂或金属皂前体溶液(P42)，前体溶液包含掺入过量的A-位及B-位材料如钡及钛的纯度高于99.999％的BST备用溶液，钡的含量为0.01-100mol％，钛的含量为0.01-100mol％。然后进行二甲苯交换(P44)来调节对基底转涂用的溶液的粘度。前体溶液转涂在第1个电极上(P45)，在400℃干燥(P46)2到10分钟，然后在650℃到800℃热处理(P47)约1小时以形成含过量的钛的BST层。淀积(P48)上第2个电极，刻制图形(P49)并在650℃及800℃之间热处理约30分钟。所得的电容器(10，20，30)的介电常数增大，而漏电电流几乎不变。

公开(公告)号：CN1182286A

公开(公告)日：1998-05-20

申请号：CN97114973.9

申请日：1997-05-14

Applicant: 松下电子工业株式会社 ,  株式会社高纯度化学研究所 ,  西梅特里克司有限公司

Inventor： 宝地户雄幸 ,  门仓秀公 ,  松本政道 ,  有田浩二 ,  吾妻正道 ,  大槻达男

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56

Abstract: 以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料,用CVD等分子沉积法或旋转涂布－烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC2H5)6]2和Bi(OC(CH3)2C2H5)3。第1供给系统(1a,16a)保持在150℃,第2供给系统(1b、16b)保持在80℃,通过将载气N2流入第1和第2供给系统,将上述二原料的蒸汽导入成膜室5内。同时,向其导入氧气,在已加热的Si基片8上使上述二蒸汽热分解。

公开(公告)号：CN1129354A

公开(公告)日：1996-08-21

申请号：CN95119333.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面区域注入氧离子后进行热处理，从而形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN1321281A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN99811686.6

申请日：1999-07-30

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道

IPC: G06K19/073 ,  G06K17/00

CPC classification number: G06K19/073 ,  G06K19/0707 ,  G06K19/0712 ,  H04L9/3273 ,  H04L2209/56 ,  H04L2209/805

Abstract: 在IC卡1的集成器件内,备有在将可携带体配置于终端装置发射的电波的电波区内并由上述天线供给电力时通过该电力供给而进行访问的非易失性存储器12及通过与第1终端装置协调而进行双向认证的密码电路10。与此同时,在集成器件内,还备有仅当将可携带体配置于靠近终端装置具有的天线并从天线向可携带体侧供给更大的电力时通过该电力供给而进行访问的非易失性存储器13及通过与第1终端装置协调而进行双向认证的密码电路11。如将严格要求保密性的个人信息存储在该非易失性存储器13内并由密码电路11进行访问该非易失性存储器13时的双向认证,则个人信息的保护将万无一失。