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公开(公告)号：CN1610076A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410061956.9
申请日：2004-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/40 , H01L27/04
Abstract: 一种强电介质膜的形成方法，是在形成于基板上的、具有凹部或凸部或者形成为凸状的电极表面上，形成由绝缘性金属氧化物构成的强电介质膜的方法，其中向腔室内导入构成原料气体的、分别含有有机金属化合物的多种源气体，同时使所述多种源气体的主成分之间进行反应控速下的化学反应，使所述强电介质膜沉积在所述电极表面上。根据本发明可以提高强电介质膜的段差覆盖性。
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公开(公告)号：CN1591871A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068220.4
申请日：2004-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L28/55 , H01L27/10852 , H01L28/65 , H01L28/90
Abstract: 本发明涉及电容元件及半导体存储装置，电容元件(22)，具有立体形状的下部电极(19)，和该下部电极(19)相对形成的上部电极(21)，和在下部电极(19)和上部电极(21)之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜(20)。电容绝缘膜(20)的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下，进一步，铁电体具有多结晶结构时，其结晶粒径设定在12.5nm以上而且在200nm以下。从而在具有立体形状的下部电极和由铁电体构成的电容绝缘膜的电容元件及使用它的半导体存储装置中，通过简易的方法，防止铁电体中的极化特性劣化，不给电容元件的数据保持特性带来不良影响。
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公开(公告)号：CN1175485C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN00121579.5
申请日：2000-08-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/31691 , H01L27/11507
Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜的制造方法、铁电电容器及铁电存储单元。特别公开了可用作铁电存储器的电容绝缘膜的铁电薄膜的制造方法。本发明提供一种非c轴取向的层状结构的铁电薄膜的制造方法，其中包括：至少其表面成为球状晶体结构的导电层(12)的表面上，形成具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜(13)的工序。
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公开(公告)号：CN101419968A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810171747.8
申请日：2008-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L21/822 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/0805 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，通过埋入绝缘膜上面规定区域的导电膜和贯通该导电膜并向绝缘膜突出而埋入的金属配线，构成MIM电容器的下部电极。
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公开(公告)号：CN1237618C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层，将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122)，在氧环境中不超过300℃的温度下，在热板上烘焙5分钟，然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时，以便形成厚度不超过90nm的层状超晶格材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128)，和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是钽酸锶铋，母体包含u摩尔当量的锶，v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽，其中0.8≤u≤1.0，2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1184666C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN99808073.X
申请日：1999-06-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L27/115
CPC classification number: H01L28/75 , C23C14/08 , H01L21/2855 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 一种用在电子存储器(600，700，800)中的铁电薄膜电容器具有光滑的电极(412，422)，随着铁电电容器使用年限的增加，能有相对较强的极化强度、较小的疲劳以及较少的印记。通过DC反应溅射制成光滑的电极表面。
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公开(公告)号：CN1337068A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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公开(公告)号：CN1309078C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03103803.4
申请日：2003-02-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L28/56
Abstract: 一种铁电电容元件，由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有：由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中，B是5价的金属)构成，第2层(23)由(A1-xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成。由此，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。
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公开(公告)号：CN1638060A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003676.7
申请日：2005-01-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L28/40 , C23C16/409 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L21/32136 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 本发明防止在强电介质膜电容器中，强电介质膜的成分在膜厚方向上的不均匀，以实现具有良好电气特性的电容器。本发明的半导体装置的制造方法是，在半导体基板上形成下部电极(S11)；接着，通过使用第一原料气体的CVD法，在下部电极上形成第一强电介质膜(S13a)；然后，通过使用第二原料气体的CVD法，在第一强电介质膜上形成第二强电介质膜(S13b)；此后，在第二强电介质膜上形成上部电极(S14)；其中，包含于形成第一强电介质膜工序(S13a)中使用的第一原料气体中的铋浓度与包含于形成第二强电介质膜工序(S13b)中使用的第二原料气体中的铋浓度不同。
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公开(公告)号：CN1315191C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410068220.4
申请日：2004-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L28/55 , H01L27/10852 , H01L28/65 , H01L28/90
Abstract: 本发明涉及电容元件及半导体存储装置，电容元件(22)，具有立体形状的下部电极(19)，和该下部电极(19)相对形成的上部电极(21)，和在下部电极(19)和上部电极(21)之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜(20)。电容绝缘膜(20)的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下，进一步，铁电体具有多结晶结构时，其结晶粒径设定在12.5nm以上而且在200nm以下。从而在具有立体形状的下部电极和由铁电体构成的电容绝缘膜的电容元件及使用它的半导体存储装置中，通过简易的方法，防止铁电体中的极化特性劣化，不给电容元件的数据保持特性带来不良影响。
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