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公开(公告)号：CN1154164C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN99812156.8
申请日：1999-09-21
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 科吉·阿里塔 , 林慎一郎 , 约瑟夫·D·库奇阿罗 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/10852
Abstract: 一种液态前体，用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313)，其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时，这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313)，此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造，因此在75℃下经过1010个负极化转换脉冲之后，以及在125℃下经过109个负极化转换脉冲之后，电容器表现出优良的极化率和低百分率印记。
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公开(公告)号：CN1338113A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN99816432.1
申请日：1999-10-15
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 大槻建男 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/31691
Abstract: 一种铁电装置(100、200)包括一个铁电层(112)和一个电极(116、110)。铁电材料是由一种钙钛矿或一种分层超晶格材料组成。在所述铁电层与所述电极之间沉积一种超晶格发生器金属氧化物作为覆盖层(114、204)以提高铁电层的剩余极化容量。
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公开(公告)号：CN1398426A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN99816011.3
申请日：1999-12-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 拉里·D·麦克米伦 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316 , B05D1/34
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1291 , C23C18/14 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31691
Abstract: 混合多种液体，每个液体的流量由体积流量控制器(515，535)控制，以形成最终的前体，最终的前体被雾化后淀积在基片上。通过调整体积流量控制器(515，535)来调整液态前体的物理特性，以使在前体被涂敷到基片并被处理时，最终的固体材料薄膜(30，50，236，489，492)具有平滑且平坦的表面(31，51，235，488，493)。通常情况下，该物理特性是前体的粘度，它被选择得相当低，在1－2厘泊范围内。
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公开(公告)号：CN1237618C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层，将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122)，在氧环境中不超过300℃的温度下，在热板上烘焙5分钟，然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时，以便形成厚度不超过90nm的层状超晶格材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128)，和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是钽酸锶铋，母体包含u摩尔当量的锶，v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽，其中0.8≤u≤1.0，2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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公开(公告)号：CN1337068A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1618123A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02827688.4
申请日：2002-09-17
Applicant: 塞姆特里克斯公司
Inventor： 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 , 拉里·D·麦克米伦 , 纳拉杨·索拉亚鹏
IPC: H01L21/316
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1225 , C23C18/14 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68 , H01L21/31691 , H01L27/10805 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/60 , Y10T428/24926
Abstract: 集成电路(40)包括分层超晶格材料(57)，该分层超晶格材料包括元素铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥中的一种或多种。这些元素可以是A位元素，或者是分层超晶格材料中的超晶格发生器元素。在一个实施例中，这些元素中的一种或多种代替了铋分层材料中的铋。优选地，它们也用于与下面这些元素中的一种或多种组合使用：锶、钙、钡、铋、镉、铅、钛、钽、铪、钨、铌、锆、铋、钪、钇、镧、锑、铬、铊、氧、氯和氟。这些材料中的一些材料是铁电体，它们在相对较低的温度下结晶。其它材料是高介电常数材料，它们经过长时间的使用也不会退化或用坏。
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公开(公告)号：CN1236986A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN99103468.6
申请日：1999-03-30
Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚罗 , 古谷晃 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 , 宫坂洋一
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/3003 , H01L21/31691 , H01L21/324 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 形成含有铁电元件(122)的集成电路,该铁电元件包括至少含两种金属的金属氧化物材料。在300—1000℃的温度下在气氛氧中进行20分钟到2小时的氧复原退火。氧复原退火反转了氢退化的影响并且恢复了铁电特性。随着退火温度的升高和退火时间的加长,氧复原通火的效果更好。铁电元件优选包括层状超晶格化合物。在层状超晶格化合物包括铌酸钽铋锶且前体中铌与钽的摩尔比约为0.4时,铁电特性的氢退化最小。在存在超过化合物的平衡化学计量分子式表示的量的超晶格产生元素和层状超晶格化合物的B位元素中至少一种时,可以进一步减小氢退化。
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公开(公告)号：CN1329750A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN99812156.8
申请日：1999-09-21
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
Inventor： 科吉·阿里塔 , 林慎一郎 , 约瑟夫·D·库奇阿罗 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/10852
Abstract: 一种液态前体,用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313),其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时,这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313),此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造,因此在75℃下经过10
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公开(公告)号：CN1236987A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN99105814.3
申请日：1999-04-16
Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚罗 , 古谷晃 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 , 宫坂洋一
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L21/28291 , H01L21/31691 , H01L21/324 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/56
Abstract: 形成含至少两种金属的氧化物的铁电元件(122)的集成电路,使制造电路中氢引起的铁电特性退化最小。在其某些元件中加入作为氢的吸气剂的氧。为使氢退化最小,由其中化学计量过量的构成金属液态前体制造铁电化合物。形成优选含氮化钛的氢阻挡层覆盖铁电元件的上部。200—350℃在氢气中对集成电路进行≤30min氢热处理,使铁电特性退化最小,并恢复集成电路的其它特性。之后,800℃下进行氧复原退火,恢复铁电特性。
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公开(公告)号：CN1233075A
公开(公告)日：1999-10-27
申请号：CN99105815.1
申请日：1999-04-16
Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚罗 , 古谷晃 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 , 宫坂洋一
IPC: H01L21/82 , H01L21/306 , H01L21/3063 , C23F1/10
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/28568 , H01L21/32132 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L27/1085 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/75
Abstract: 铁电集成电路中,包含钛和/或氮化钛的氢阻挡层形成于金属氧化物元件之上,使其不氢退化。在引起氢化或还原条件的氢退火等之后,用两步腐蚀工艺去掉氢阻挡层。第一腐蚀步骤是干法腐蚀,优选标准的离子铣腐蚀工艺,快速去掉大部分氢阻挡层。第二步是湿法化学腐蚀,优选利用含NH4OH、H2O2和H2O的溶液,通过氧化阻挡层元素,选择性地从电路上去掉其余氢阻挡层。金属氧化物材料优选包括层状超晶格材料。
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