公开(公告)号：CN1254950A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99123959.8

申请日：1999-11-19

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇奥 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳科 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 在一集成电路中,各自包括一底电极(122)、一金属氧化物薄膜(124)、一顶电极(126)、一下阻挡—粘附层(128)、一氢阻挡层(130)和一上阻挡—粘附层(132)被构型以形成覆盖有一自对准氢阻挡层(130)的一存储电容器(120)。较佳地,该顶和底电极包括铂,该金属氧化物材料包括铁电分层的超晶格材料,该上和下阻挡—粘附层包括钛,且该氢阻挡层(130)包括氮化钛。该氢阻挡层(130)禁止氢的扩散,从而防止金属氧化物的氢退化。部分上阻挡—粘附层(132)被去除以提供该层中的电传导性。较佳地,该存储电容器是一铁电永久性存储器。较佳地,该分层的超晶格材料包括钽酸锶铋或铌酸锶铋钽。

公开(公告)号：CN1236987A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99105814.3

申请日：1999-04-16

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚罗 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56

Abstract: 形成含至少两种金属的氧化物的铁电元件(122)的集成电路,使制造电路中氢引起的铁电特性退化最小。在其某些元件中加入作为氢的吸气剂的氧。为使氢退化最小,由其中化学计量过量的构成金属液态前体制造铁电化合物。形成优选含氮化钛的氢阻挡层覆盖铁电元件的上部。200—350℃在氢气中对集成电路进行≤30min氢热处理,使铁电特性退化最小,并恢复集成电路的其它特性。之后,800℃下进行氧复原退火,恢复铁电特性。

公开(公告)号：CN1233075A

公开(公告)日：1999-10-27

申请号：CN99105815.1

申请日：1999-04-16

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚罗 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  C23F1/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 铁电集成电路中,包含钛和/或氮化钛的氢阻挡层形成于金属氧化物元件之上,使其不氢退化。在引起氢化或还原条件的氢退火等之后,用两步腐蚀工艺去掉氢阻挡层。第一腐蚀步骤是干法腐蚀,优选标准的离子铣腐蚀工艺,快速去掉大部分氢阻挡层。第二步是湿法化学腐蚀,优选利用含NH4OH、H2O2和H2O的溶液,通过氧化阻挡层元素,选择性地从电路上去掉其余氢阻挡层。金属氧化物材料优选包括层状超晶格材料。

公开(公告)号：CN1130765C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN99123959.8

申请日：1999-11-19

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇奥 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳科 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 在一集成电路中，各自包括一底电极(122)、一金属氧化物薄膜(124)、一顶电极(126)、一下阻挡-粘附层(128)、一氢阻挡层(130)和一上阻挡-粘附层(132)被构型以形成覆盖有一自对准氢阻挡层(130)的一存储电容器(120)。较佳地，该顶和底电极包括铂，该金属氧化物材料包括铁电分层的超晶格材料，该上和下阻挡—粘附层包括钛，且该氢阻挡层(130)包括氮化钛。该氢阻挡层(130)禁止氢的扩散，从而防止金属氧化物的氢退化。部分上阻挡—粘附层(132)被去除以提供该层中的电传导性。较佳地，该存储电容器是一铁电永久性存储器。较佳地，该分层的超晶格材料包括钽酸锶铋或铌酸锶铋钽。

公开(公告)号：CN1255751A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99125536.4

申请日：1999-12-01

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇奥 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳科 ,  宫坂洋一

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在铁电集成电路的保护层(130,135,160)中包含有少量的氧,以便在制备过程中保护铁电氧化物材料免于氢降解。通常,保护层(130,135)为形成覆盖铁电氧化物材料薄膜(124)的氢扩散阻挡层。在一方法中,在沉积氢扩散阻挡层(130,135)或金属化导线层(160)期间,将少量氧引入溅射气氛中。氧将形成抑制氢向铁电氧化物材料扩散的氧化物。氧形成一浓度梯度,以致使,在保护层内部的氧浓度为零,而在保护层表面附近的氧浓度约为2%重量。

公开(公告)号：CN1158707C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99125536.4

申请日：1999-12-01

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇奥 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳科 ,  宫坂洋一

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括有集成电路部分(170，175，180)的铁电集成电路，所述集成电路部分包括有：铁电氧化物材料的薄膜(124)和用于保护所述的铁电氧化物材料不受还原性的制备过程影响的保护层(130，160，135)。在一方法中，在沉积保护层(130，135，160)期间，将少量氧引入溅射气氛中，在保护层中形成一氧浓度梯度。氧将形成抑制氢向铁电氧化物材料扩散的氧化物。优选在保护层内部的氧浓度为零，而在保护层表面附近的氧浓度约为2重量%。

公开(公告)号：CN1236986A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99103468.6

申请日：1999-03-30

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚罗 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 形成含有铁电元件(122)的集成电路,该铁电元件包括至少含两种金属的金属氧化物材料。在300—1000℃的温度下在气氛氧中进行20分钟到2小时的氧复原退火。氧复原退火反转了氢退化的影响并且恢复了铁电特性。随着退火温度的升高和退火时间的加长,氧复原通火的效果更好。铁电元件优选包括层状超晶格化合物。在层状超晶格化合物包括铌酸钽铋锶且前体中铌与钽的摩尔比约为0.4时,铁电特性的氢退化最小。在存在超过化合物的平衡化学计量分子式表示的量的超晶格产生元素和层状超晶格化合物的B位元素中至少一种时,可以进一步减小氢退化。

公开(公告)号：CN1139979C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN99105527.6

申请日：1999-04-13

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚若 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 在集成电路中的铁电薄膜(124)上面形成氢阻挡层(128)。氢阻挡层在铁电薄膜的受保护段(123)正上方，同时铁电薄膜的牺牲段(125)横向延伸超出氢阻挡层的边沿(129)。牺牲段吸收氢使之不能横向扩散到铁电薄膜的受保护段。它吸收氢之后，将牺牲段蚀刻掉以允许对它下面的电路层的电连接。铁电薄膜最好包括分层超晶格化合物。加入铌酸锶铋钽物质的标准母体溶液中的过量铋或铌有助于减少铁电性质的氢降级。

公开(公告)号：CN1233074A

公开(公告)日：1999-10-27

申请号：CN99105527.6

申请日：1999-04-13

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚若 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 在集成电路中的铁电薄膜(124)上面形成氢阻挡层(128)。氢阻挡层直接在铁电薄膜的受保护段(123)上面,同时铁电薄膜的牺牲段(125)横向延伸超出氢阻挡层的边沿(129)。牺牲段吸收氢使之不能横向扩散到铁电薄膜的受保护段。它吸收氢之后,将牺牲段蚀刻掉以允许对它下面的电路层的电连接。铁电薄膜最好包括分层超晶格化合物。加入铌酸锶铋钽物质的标准母体溶液中的过量铋或铌有助于减少铁电性质的氢降级。