公开(公告)号：CN1254950A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99123959.8

申请日：1999-11-19

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇奥 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳科 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 在一集成电路中,各自包括一底电极(122)、一金属氧化物薄膜(124)、一顶电极(126)、一下阻挡—粘附层(128)、一氢阻挡层(130)和一上阻挡—粘附层(132)被构型以形成覆盖有一自对准氢阻挡层(130)的一存储电容器(120)。较佳地,该顶和底电极包括铂,该金属氧化物材料包括铁电分层的超晶格材料,该上和下阻挡—粘附层包括钛,且该氢阻挡层(130)包括氮化钛。该氢阻挡层(130)禁止氢的扩散,从而防止金属氧化物的氢退化。部分上阻挡—粘附层(132)被去除以提供该层中的电传导性。较佳地,该存储电容器是一铁电永久性存储器。较佳地,该分层的超晶格材料包括钽酸锶铋或铌酸锶铋钽。

公开(公告)号：CN1130765C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN99123959.8

申请日：1999-11-19

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇奥 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳科 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 在一集成电路中，各自包括一底电极(122)、一金属氧化物薄膜(124)、一顶电极(126)、一下阻挡-粘附层(128)、一氢阻挡层(130)和一上阻挡-粘附层(132)被构型以形成覆盖有一自对准氢阻挡层(130)的一存储电容器(120)。较佳地，该顶和底电极包括铂，该金属氧化物材料包括铁电分层的超晶格材料，该上和下阻挡—粘附层包括钛，且该氢阻挡层(130)包括氮化钛。该氢阻挡层(130)禁止氢的扩散，从而防止金属氧化物的氢退化。部分上阻挡—粘附层(132)被去除以提供该层中的电传导性。较佳地，该存储电容器是一铁电永久性存储器。较佳地，该分层的超晶格材料包括钽酸锶铋或铌酸锶铋钽。