公开(公告)号：CN1158707C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99125536.4

申请日：1999-12-01

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇奥 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳科 ,  宫坂洋一

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括有集成电路部分(170，175，180)的铁电集成电路，所述集成电路部分包括有：铁电氧化物材料的薄膜(124)和用于保护所述的铁电氧化物材料不受还原性的制备过程影响的保护层(130，160，135)。在一方法中，在沉积保护层(130，135，160)期间，将少量氧引入溅射气氛中，在保护层中形成一氧浓度梯度。氧将形成抑制氢向铁电氧化物材料扩散的氧化物。优选在保护层内部的氧浓度为零，而在保护层表面附近的氧浓度约为2重量%。

公开(公告)号：CN1255751A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99125536.4

申请日：1999-12-01

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇奥 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳科 ,  宫坂洋一

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在铁电集成电路的保护层(130,135,160)中包含有少量的氧,以便在制备过程中保护铁电氧化物材料免于氢降解。通常,保护层(130,135)为形成覆盖铁电氧化物材料薄膜(124)的氢扩散阻挡层。在一方法中,在沉积氢扩散阻挡层(130,135)或金属化导线层(160)期间,将少量氧引入溅射气氛中。氧将形成抑制氢向铁电氧化物材料扩散的氧化物。氧形成一浓度梯度,以致使,在保护层内部的氧浓度为零,而在保护层表面附近的氧浓度约为2%重量。