-
公开(公告)号：CN1364313A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01800486.5
申请日：2001-02-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 内山洁 , 有田浩二 , 纳拉杨·索拉亚鹏 , 卡罗斯·A·帕兹德阿罗
CPC classification number: H01L21/28291 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68
Abstract: 一种用于形成层状超晶格材料的液态母体被涂覆(324)在集成电路衬底(122,224,508)。利用递变率为每秒50℃的快速递变退火(“RRA”)技术(328),在650℃之维持温度下对该母体涂层在氧气中进行时间为30分钟之维持时间的退火。
-
公开(公告)号：CN1237618C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层，将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122)，在氧环境中不超过300℃的温度下，在热板上烘焙5分钟，然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时，以便形成厚度不超过90nm的层状超晶格材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128)，和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是钽酸锶铋，母体包含u摩尔当量的锶，v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽，其中0.8≤u≤1.0，2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
-
公开(公告)号：CN1337068A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1169193C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN99810093.5
申请日：1999-08-18
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 英菲尼昂科技股份公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 形成一包含一金属氧化物铁电薄膜的集成电路。实现一电压循环恢复工序以扭转由氢引起的铁电属性的退化。该电压循环恢复工序通过施加104至1011个具有1至5伏振幅的电压周期来实现。金属氧化物薄膜包括如铅锆钛酸盐或分层超晶格材料的钙钛矿材料，或最好是锶铋钽酸盐或锶铋钽铌酸盐。如果该集成电路生产包括一形成气体的退火，则该电压循环恢复工序在该形成气体的退火之后进行。该电压循环恢复工序消除了恢复氧的退火，并且它还允许继续使用常规的富氧等离子工序和形成气体的退火，而没有对铁电薄膜的持久存在的破坏的危险。
-
公开(公告)号：CN1169194C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN99813279.9
申请日：1999-10-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 英菲尼昂科技股份公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/115 , H01L29/15
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种非易失性集成电路存储器，包含铁电分层超点阵材料薄膜(100，200，300，601)。进行惰性气体恢复性退火，以抵消由氢引起的铁电性能的降低。惰性气体恢复性退火处理在惰性气体气氛中进行，其温度范围为300℃～1000℃，持续时间从一分钟到两个小时。分层超点阵材料最好是由钽酸锶铋或铌酸钽锶铋组成。如果集成电路的制造包括成形-气体退火步骤(432)，那么惰性气体恢复性退火布置(434)在成形-气体退火步骤(432)之后进行，并且最好与成形-气体退火处理步骤的温度范围和持续时间相同或相近。惰性气体恢复性退火处理避免了氧恢复性退火，并且它还使传统的富氢等离子体处理和成形-气体退火处理能继续使用，而没有造成铁电薄膜永久性损坏的危险。惰性气体气氛可以包括纯的惰性气体或者惰性气体的混合物。惰性气体可以是任意相对惰性的气体如：氮气或者氩气。
-
公开(公告)号：CN1618123A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02827688.4
申请日：2002-09-17
Applicant: 塞姆特里克斯公司
Inventor： 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 , 拉里·D·麦克米伦 , 纳拉杨·索拉亚鹏
IPC: H01L21/316
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1225 , C23C18/14 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68 , H01L21/31691 , H01L27/10805 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/60 , Y10T428/24926
Abstract: 集成电路(40)包括分层超晶格材料(57)，该分层超晶格材料包括元素铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥中的一种或多种。这些元素可以是A位元素，或者是分层超晶格材料中的超晶格发生器元素。在一个实施例中，这些元素中的一种或多种代替了铋分层材料中的铋。优选地，它们也用于与下面这些元素中的一种或多种组合使用：锶、钙、钡、铋、镉、铅、钛、钽、铪、钨、铌、锆、铋、钪、钇、镧、锑、铬、铊、氧、氯和氟。这些材料中的一些材料是铁电体，它们在相对较低的温度下结晶。其它材料是高介电常数材料，它们经过长时间的使用也不会退化或用坏。
-
公开(公告)号：CN1326589A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN99813279.9
申请日：1999-10-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 英菲尼昂科技股份公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种集成电路,包含金属氧化物薄膜(100,200,300,601)。进行恢复性退火以抵消由氢引起的铁电性能的降低。惰性气体恢复性退火处理在惰性气体氮、氩或者其它类似气体气氛中进行,其温度范围为300℃～1000℃,持续时间从一分钟到两个小时。金属氧化物薄膜包含钙钛矿物质如PZT(钛酸铅锆)或者最好是分层超点阵材料象SBT(钽酸锶铋)或SBTN(铌酸钽锶铋)。如果集成电路制造步骤包括成形－气体退火步骤432,那么惰性气体恢复性退火434在成形－气体退火432之后进行,并且最好与成形－气体退火处理的温度范围和持续时间相同。惰性气体恢复性退火处理避免了氧恢复性退火,并且它使得传统的富氢等离子体工艺和成形－气体退火处理能够继续使用,而没有铁电薄膜永久性损坏的危险。
-
公开(公告)号：CN1320274A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN99810093.5
申请日：1999-08-18
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 英菲尼昂科技股份公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 形成一包含一金属氧化物铁电薄膜的集成电路。实现一电压循环恢复工序以扭转由氢引起的铁电属性的退化。该电压循环恢复工序通过施加104至1011个具有1至5伏振幅的电压周期来实现。金属氧化物薄膜包括如铅锆钛酸盐或分层超晶格材料的钙钛矿材料,或最好是锶铋钽酸盐或锶铋钽铌酸盐。如果该集成电路生产包括一形成气体的退火,则该电压循环恢复工序在该形成气体的退火之后进行。该电压循环恢复工序消除了恢复氧的退火,并且它还允许继续使用常规的富氧等离子工序和形成气体的退火,而没有对铁电薄膜的持久存在的破坏的危险。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.036 seconds)
