公开(公告)号：CN1358326A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN00809440.3

申请日：2000-06-09

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 林信一郎 ,  维克拉姆·乔希 ,  纳拉亚恩·索拉亚潘 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种高介电常数绝缘体,包含选自以下的金属氧化物薄膜:钨－青铜－型氧化物、烧绿石－型氧化物、以及Bi2O3与选自以下的氧化物的组合:钙钛矿－型氧化物和烧绿石－型氧化物。一种实施方式含有化学计量通式AB2O6、A2B2O7和A2Bi2B2O10所代表的金属氧化物,其中A代表选自以下金属的A－位原子:Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La;并且B代表选自以下金属的B－位原子:Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。优选这些金属氧化物是(BaxSr1－x)(TayNb1－y)2O6,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0;(BaxSr1－x)2(TayNb1－y)2O7,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0和(BaxSr1－x)2Bi2(TayNb1－y)2O10,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。本发明的薄膜的相对介电常数≥40,优选为约100。本发明的金属氧化物的Vcc值接近0。Tcc值

公开(公告)号：CN1154164C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN99812156.8

申请日：1999-09-21

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 科吉·阿里塔 ,  林慎一郎 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种液态前体，用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313)，其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时，这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313)，此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造，因此在75℃下经过1010个负极化转换脉冲之后，以及在125℃下经过109个负极化转换脉冲之后，电容器表现出优良的极化率和低百分率印记。

公开(公告)号：CN1329750A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN99812156.8

申请日：1999-09-21

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 科吉·阿里塔 ,  林慎一郎 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种液态前体,用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313),其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时,这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313),此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造,因此在75℃下经过10

公开(公告)号：CN1199506A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN96194607.5

申请日：1996-06-06

Applicant: 松下电子工业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/92 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明披露了一种薄膜铁电电容器(20),它包括带有粘结金属层(36)和贵金属部分(38)的底电极结构(26)。将该电极(26)沉积在薄膜缓冲层(24)上,所述缓冲层包含层状超点阵材料。将该缓冲层夹在基材(22)和底电极(26)之间。该电容器的制备方法包括:在形成底电极(26)之前,将液体前体沉积在基材(22)上。