公开(公告)号：CN1351761A

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN00807853.X

申请日：2000-04-28

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 林信一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/316 ,  H01L21/3144 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在制备集成电路的过程中,在具有第一表面和第二表面的基板上涂敷母液,并处理该液体以选择性地形成固体薄膜。所述第一表面与第二表面有不同的物理性质,使得在第一表面上形成固体薄膜,而在第二表面上不形成薄膜。在形成固体薄膜后,洗涤该基板,以从基板的第二表面上除去残留的液体。

公开(公告)号：CN1358326A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN00809440.3

申请日：2000-06-09

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 林信一郎 ,  维克拉姆·乔希 ,  纳拉亚恩·索拉亚潘 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种高介电常数绝缘体,包含选自以下的金属氧化物薄膜:钨－青铜－型氧化物、烧绿石－型氧化物、以及Bi2O3与选自以下的氧化物的组合:钙钛矿－型氧化物和烧绿石－型氧化物。一种实施方式含有化学计量通式AB2O6、A2B2O7和A2Bi2B2O10所代表的金属氧化物,其中A代表选自以下金属的A－位原子:Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La;并且B代表选自以下金属的B－位原子:Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。优选这些金属氧化物是(BaxSr1－x)(TayNb1－y)2O6,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0;(BaxSr1－x)2(TayNb1－y)2O7,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0和(BaxSr1－x)2Bi2(TayNb1－y)2O10,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。本发明的薄膜的相对介电常数≥40,优选为约100。本发明的金属氧化物的Vcc值接近0。Tcc值