公开(公告)号：CN1351761A

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN00807853.X

申请日：2000-04-28

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 林信一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/316 ,  H01L21/3144 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在制备集成电路的过程中,在具有第一表面和第二表面的基板上涂敷母液,并处理该液体以选择性地形成固体薄膜。所述第一表面与第二表面有不同的物理性质,使得在第一表面上形成固体薄膜,而在第二表面上不形成薄膜。在形成固体薄膜后,洗涤该基板,以从基板的第二表面上除去残留的液体。

公开(公告)号：CN1358326A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN00809440.3

申请日：2000-06-09

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 林信一郎 ,  维克拉姆·乔希 ,  纳拉亚恩·索拉亚潘 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种高介电常数绝缘体,包含选自以下的金属氧化物薄膜:钨－青铜－型氧化物、烧绿石－型氧化物、以及Bi2O3与选自以下的氧化物的组合:钙钛矿－型氧化物和烧绿石－型氧化物。一种实施方式含有化学计量通式AB2O6、A2B2O7和A2Bi2B2O10所代表的金属氧化物,其中A代表选自以下金属的A－位原子:Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La;并且B代表选自以下金属的B－位原子:Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。优选这些金属氧化物是(BaxSr1－x)(TayNb1－y)2O6,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0;(BaxSr1－x)2(TayNb1－y)2O7,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0和(BaxSr1－x)2Bi2(TayNb1－y)2O10,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。本发明的薄膜的相对介电常数≥40,优选为约100。本发明的金属氧化物的Vcc值接近0。Tcc值

公开(公告)号：CN1139979C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN99105527.6

申请日：1999-04-13

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚若 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 在集成电路中的铁电薄膜(124)上面形成氢阻挡层(128)。氢阻挡层在铁电薄膜的受保护段(123)正上方，同时铁电薄膜的牺牲段(125)横向延伸超出氢阻挡层的边沿(129)。牺牲段吸收氢使之不能横向扩散到铁电薄膜的受保护段。它吸收氢之后，将牺牲段蚀刻掉以允许对它下面的电路层的电连接。铁电薄膜最好包括分层超晶格化合物。加入铌酸锶铋钽物质的标准母体溶液中的过量铋或铌有助于减少铁电性质的氢降级。

公开(公告)号：CN1233074A

公开(公告)日：1999-10-27

申请号：CN99105527.6

申请日：1999-04-13

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 约瑟夫·D·库奇亚若 ,  古谷晃 ,  卡洛斯·A·帕斯德阿劳约 ,  宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 在集成电路中的铁电薄膜(124)上面形成氢阻挡层(128)。氢阻挡层直接在铁电薄膜的受保护段(123)上面,同时铁电薄膜的牺牲段(125)横向延伸超出氢阻挡层的边沿(129)。牺牲段吸收氢使之不能横向扩散到铁电薄膜的受保护段。它吸收氢之后,将牺牲段蚀刻掉以允许对它下面的电路层的电连接。铁电薄膜最好包括分层超晶格化合物。加入铌酸锶铋钽物质的标准母体溶液中的过量铋或铌有助于减少铁电性质的氢降级。