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公开(公告)号：CN101419968A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810171747.8
申请日：2008-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L21/822 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/0805 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，通过埋入绝缘膜上面规定区域的导电膜和贯通该导电膜并向绝缘膜突出而埋入的金属配线，构成MIM电容器的下部电极。
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