公开(公告)号：CN1241246C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02803087.7

申请日：2002-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 立成利贵

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/35 ,  G01N2021/3595 ,  H01L22/12 ,  Y10T436/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种既不使成膜装置的生产性劣化，又可轻易测定成膜装置的成膜温度或膜的特性的方法。其解决手段是，事先制作参照用红外线吸收光谱图案作为资料库。然后，利用傅立叶转换红外线分光(FT-IR)法，测定被测定膜的红外线吸收图案。再次，根据参照用红外线吸收光谱图案、及被测定膜的红外线光谱图案，进行部分最小平方回归(PLS)法的多变量分析的后，再根据分析的结果，算出成膜温度等。

公开(公告)号：CN1476630A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02803087.7

申请日：2002-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 立成利贵

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/35 ,  G01N2021/3595 ,  H01L22/12 ,  Y10T436/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即不使成膜装置的生产性劣化，又可轻易测定成膜装置的成膜温度或膜的特性的方法。其解决手段是，事先制作参照用红外线吸收光谱图案作为资料库。然后，利用傅立叶转换红外线分光(FT－IR)法，测定被测定膜的红外线吸收图案。再次，根据参照用红外线吸收光谱图案，及被测定膜的红外线光谱图案，进行部分最小平方回归(PLS)法的多变量分析的后，再根据分析的结果，算出成膜温度等。

公开(公告)号：CN1610076A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410061956.9

申请日：2004-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 立成利贵 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L28/55 ,  C23C16/40 ,  H01L28/91

Abstract: 一种强电介质膜的形成方法，是在形成于基板上的、具有凹部或凸部或者形成为凸状的电极表面上，形成由绝缘性金属氧化物构成的强电介质膜的方法，其中向腔室内导入构成原料气体的、分别含有有机金属化合物的多种源气体，同时使所述多种源气体的主成分之间进行反应控速下的化学反应，使所述强电介质膜沉积在所述电极表面上。根据本发明可以提高强电介质膜的段差覆盖性。

公开(公告)号：CN1532936A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410006948.4

申请日：2004-03-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 立成利贵

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在氢气氛中进行热处理的过程中，可以确实有效地防止氢侵入电容绝缘膜中。解决该任务的技术措施是，在半导体衬底100上形成第1氢阻挡膜108，在该第1氢阻挡膜108上间隔导电膜110形成电容下部电极111；在第1氢阻挡膜108上形成第1绝缘膜112，其将电容下部电极111的侧面覆盖住并使电容下部电极111的上面露出；在电容下部电极111和第1绝缘膜112的上面形成由绝缘性金属氧化物构成的电容绝缘膜113；在该电容绝缘膜113上形成电容上部电极114；第2阻挡膜115覆盖电容绝缘膜113和电容上部电极114并且在与电容上部电极114的棱角部位相对应的部位上形成倾斜部115a。在第2绝缘膜115上形成第2氢阻挡膜116。