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公开(公告)号：CN107041160B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201580002609.5
申请日：2015-06-05
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45109 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45609 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85054 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/8509 , H01L2224/85203 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/01204 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/20105 , H01L2924/20656 , H01L2924/00 , H01L2924/2011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
摘要： 本发明提供一种适合车载用装置的接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线包含0.011～1.2质量％的In，Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。因此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05～1.2质量％的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时，楔接合性改善。
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公开(公告)号：CN107004610A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580002602.3
申请日：2015-07-23
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明提供一种半导体装置用接合线，其具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，该半导体装置用接合线能够进一步改善镀Pd引线框上的2nd接合性，并且能够实现在高湿加热条件下也优异的球接合性。一种半导体装置用接合线，具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，将线最表面的Cu浓度设为1～10at％，在芯材中含有总计为0.1～3.0质量％的范围的Pd、Pt中的一种或两种，由此能够实现2nd接合性的改善和高湿加热条件下的优异的球接合性。进而，优选表皮合金层的Au的最大浓度为15at％～75at％。
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公开(公告)号：CN105324838B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201580000889.6
申请日：2015-03-31
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45012 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201
摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。
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公开(公告)号：CN105247668A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201580000862.7
申请日：2015-03-31
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45012 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00 , H01L2924/01201 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/12044 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为10％以上且小于50％；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为70％以上。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。
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公开(公告)号：CN107962313A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711344468.2
申请日：2016-05-19
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/265 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013
摘要： 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。
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公开(公告)号：CN106489199A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580002424.4
申请日：2015-07-22
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
摘要： 本发明涉及一种具有Cu合金芯材和在其表面形成的Pd被覆层的半导体装置用接合线，谋求提高175℃～200℃的HTS中的球接合部的接合可靠性和使耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过使线中含有总计为0.03～2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt中的1种以上，来提高HTS中的球接合部的接合可靠性，进而，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，使线长度方向的晶体取向之中、相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向 的取向比率为50％以上，且与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面中的平均结晶粒径为0.9～1.3μm，由此使耐力比为1.6以下。
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公开(公告)号：CN105981164A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580005634.9
申请日：2015-12-28
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
IPC分类号： H01L23/49
摘要： 本发明提供一种半导体装置用接合线，其具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，该半导体装置用接合线能够进一步改善镀Pd引线框上的2nd接合性，并且能够实现在高湿加热条件下也优异的球接合性。一种半导体装置用接合线，具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，将线最表面中的Cu浓度设为1～10at％，在芯材中含有总计为0.1～3.0质量％的范围的元素周期表第10族的金属元素，由此能够实现2nd接合性的改善和高湿加热条件下的优异的球接合性。进而，优选表皮合金层的Au的最大浓度为15at％～75at％。
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公开(公告)号：CN107533992A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027572.6
申请日：2016-06-14
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，所述接合线包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素，由下述式(1)定义的耐力比为1.1～1.6。耐力比＝最大耐力/0.2％耐力(1)。
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公开(公告)号：CN105324838A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201580000889.6
申请日：2015-03-31
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45012 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201
摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。
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公开(公告)号：CN107041160A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201580002609.5
申请日：2015-06-05
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45109 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45609 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85054 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/8509 , H01L2224/85203 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/01204 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/20105 , H01L2924/20656 , H01L2924/00 , H01L2924/2011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
摘要： 本发明提供一种适合车载用装置的接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线包含0.011～1.2质量％的In，Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。因此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05～1.2质量％的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时，楔接合性改善。
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