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公开(公告)号：CN102132635A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132266.9
申请日：2009-06-22
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H05K1/02 , B23K26/00 , H01L23/12 , H05K3/00 , B23K101/42
CPC classification number: H05K1/0306 , B23K26/40 , B23K2103/52 , H01L21/481 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K3/0029 , H05K3/0052 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , Y10T428/24479 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种陶瓷集合基板，其具有分割时可良好分割，不准备分割时不会因不小心而被分割的分割特性；以及提供一种陶瓷基板，其具有良好的尺寸精度和抗弯强度，以及具有良好的绝缘耐压性的陶瓷电路基板。本发明是一种陶瓷集合基板，其在陶瓷烧结基板的一面或两面上设置用激光加工出的用于分割出多块电路基板的分割用连续槽，至少其一条连续槽在槽长度方向上的最大深度部和最小深度部的槽深度差Δd为：10μm≤Δd≤50μm。一种陶瓷基板，其通过分割陶瓷集合基板所形成，所述陶瓷集合基板是通过分割在陶瓷烧结基板的单面或两面上通过激光加工形成的用于分割出多个电路基板的连续槽而形成的，至少其一个侧面是通过沿上述连续槽分割而形成的面，在该侧面的算术平均粗糙度(Ra)中，上述连续槽加工部表面的算术平均粗糙度(Ra2)小于断裂部表面的表面粗糙度的算术平均粗糙度(Ra1)。
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公开(公告)号：CN103619779A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280028859.2
申请日：2012-07-02
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , B22F7/062 , B22F9/023 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/36 , B23K2101/40 , C04B37/026 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/96 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/597 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C22C1/0466 , C22C5/06 , C22C5/08 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , Y10T428/12014 , Y10T428/249969 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种钎料及使用该钎料的钎料膏，所述钎料将陶瓷基板和金属板的粘合强度维持在以往技术水平上，并且其中In的添加量减少，混合粉末是由Ag、In、Cu构成的合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末混合而成的，包含0.5～5.0重量%的、粒子的等效圆平均直径是10～25μm的活性金属氢化物粉末，所述合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末的粒子的等效圆平均直径为合金粉末≥活性金属氢化物粉末＞Ag粉末的关系，具有10%累计粒径（d10）是3～10μm、50%累计粒径（d50）是10～25μm、90%累计粒径（d90）是30～50μm的粒度分布，并且在频度分布上，峰值在50%累计粒径（d50）和90%累计粒径（d90）之间。
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公开(公告)号：CN102105418A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980126052.0
申请日：2009-07-03
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/584 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/15 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0306 , C04B35/584 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种氮化硅基板及其制造方法以及使用该氮化硅基板的氮化硅电路基板以及半导体模块。所述氮化硅基板由高强度且高热传导率的氮化硅质烧结体形成。一种氮化硅质烧结体，其包含β型氮化硅的晶粒11和晶界相，所述晶界相含有至少1种稀土类元素(RE)、镁(Mg)和硅(Si)，对于所述氮化硅基板，前述晶界相包含非晶相12和MgSiN2晶相13，含有前述稀土类元素(RE)的晶相的任一个晶面的X线衍射峰强度也低于前述β型氮化硅的晶粒的(110)、(200)、(101)、(210)、(201)、(310)、(320)及(002)的衍射峰强度之和的0.0005倍，前述MgSiN2晶相13的(121)的X射线衍射峰强度为前述β型氮化硅的晶粒的(110)、(200)、(101)、(210)、(201)、(310)、(320)及(002)的X射线衍射峰强度之和的0.0005～0.003倍。
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公开(公告)号：CN103619779B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201280028859.2
申请日：2012-07-02
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , B22F7/062 , B22F9/023 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/36 , B23K2101/40 , C04B37/026 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/96 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/597 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C22C1/0466 , C22C5/06 , C22C5/08 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , Y10T428/12014 , Y10T428/249969 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种钎料及使用该钎料的钎料膏，所述钎料将陶瓷基板和金属板的粘合强度维持在以往技术水平上，并且其中In的添加量减少，混合粉末是由Ag、In、Cu构成的合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末混合而成的，包含0.5～5.0重量%的、粒子的等效圆平均直径是10～25μm的活性金属氢化物粉末，所述合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末的粒子的等效圆平均直径为合金粉末≥活性金属氢化物粉末＞Ag粉末的关系，具有10%累计粒径（d10）是3～10μm、50%累计粒径（d50）是10～25μm、90%累计粒径（d90）是30～50μm的粒度分布，并且在频度分布上，峰值在50%累计粒径（d50）和90%累计粒径（d90）之间。
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