公开(公告)号：CN102132635A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980132266.9

申请日：2009-06-22

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 手岛博幸 ,  渡边纯一 ,  和井伸一 ,  佐佐木淳 ,  水野晶仁

IPC: H05K1/02 ,  B23K26/00 ,  H01L23/12 ,  H05K3/00 ,  B23K101/42

CPC classification number: H05K1/0306 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/52 ,  H01L21/481 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/0052 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/0909 ,  Y10T428/24479 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种陶瓷集合基板，其具有分割时可良好分割，不准备分割时不会因不小心而被分割的分割特性；以及提供一种陶瓷基板，其具有良好的尺寸精度和抗弯强度，以及具有良好的绝缘耐压性的陶瓷电路基板。本发明是一种陶瓷集合基板，其在陶瓷烧结基板的一面或两面上设置用激光加工出的用于分割出多块电路基板的分割用连续槽，至少其一条连续槽在槽长度方向上的最大深度部和最小深度部的槽深度差Δd为：10μm≤Δd≤50μm。一种陶瓷基板，其通过分割陶瓷集合基板所形成，所述陶瓷集合基板是通过分割在陶瓷烧结基板的单面或两面上通过激光加工形成的用于分割出多个电路基板的连续槽而形成的，至少其一个侧面是通过沿上述连续槽分割而形成的面，在该侧面的算术平均粗糙度(Ra)中，上述连续槽加工部表面的算术平均粗糙度(Ra2)小于断裂部表面的表面粗糙度的算术平均粗糙度(Ra1)。

公开(公告)号：CN114380603B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210085938.2

申请日：2017-03-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 今村寿之 ,  藤田卓 ,  加贺洋一郎 ,  手岛博幸 ,  滨吉繁幸

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/593 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结基板的制造方法，包括：混合80质量％以上98.3质量％以下的Si3N4粉末、以氧化物换算计为0.7质量％以上10质量％以下的Mg化合物粉末和以氧化物换算计为1质量％以上10质量％以下的至少1种稀土元素的化合物粉末得到混合粉末的工序a；将混合粉末制成浆料并成型为多个生片的工序b；将多个生片隔着氮化硼粉末层叠层得到叠层组装体的工序c；和，将叠层组装体配置于烧结炉内并对叠层组装体进行烧结的工序d；在工序c中氮化硼粉末层的厚度为3μm以上20μm以下；工序d包括：在80Pa以下的真空气氛下保持900℃以上1300℃以下的气氛温度，从生片中除去碳的工序d1，和在工序d1之后在氮气氛下以1600℃以上2000℃以下的气氛温度使生片烧结的工序d2。

公开(公告)号：CN108495831A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780008097.2

申请日：2017-03-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 今村寿之 ,  藤田卓 ,  加贺洋一郎 ,  手岛博幸 ,  滨吉繁幸

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03

CPC classification number: C04B35/587 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm3以上，上述端部的密度de为3.160g/cm3以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc为0.50以上。

公开(公告)号：CN108495831B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780008097.2

申请日：2017-03-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 今村寿之 ,  藤田卓 ,  加贺洋一郎 ,  手岛博幸 ,  滨吉繁幸

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/587 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm3以上，上述端部的密度de为3.160g/cm3以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc为0.50以上。

公开(公告)号：CN114380603A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202210085938.2

申请日：2017-03-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 今村寿之 ,  藤田卓 ,  加贺洋一郎 ,  手岛博幸 ,  滨吉繁幸

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结基板的制造方法，包括：混合80质量％以上98.3质量％以下的Si3N4粉末、以氧化物换算计为0.7质量％以上10质量％以下的Mg化合物粉末和以氧化物换算计为1质量％以上10质量％以下的至少1种稀土元素的化合物粉末得到混合粉末的工序a；将混合粉末制成浆料并成型为多个生片的工序b；将多个生片隔着氮化硼粉末层叠层得到叠层组装体的工序c；和，将叠层组装体配置于烧结炉内并对叠层组装体进行烧结的工序d；在工序c中氮化硼粉末层的厚度为3μm以上20μm以下；工序d包括：在80Pa以下的真空气氛下保持900℃以上1300℃以下的气氛温度，从生片中除去碳的工序d1，和在工序d1之后在氮气氛下以1600℃以上2000℃以下的气氛温度使生片烧结的工序d2。