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公开(公告)号：CN108495831B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201780008097.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/587 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm3以上，上述端部的密度de为3.160g/cm3以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc为0.50以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114380603A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210085938.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/593 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结基板的制造方法，包括：混合80质量％以上98.3质量％以下的Si3N4粉末、以氧化物换算计为0.7质量％以上10质量％以下的Mg化合物粉末和以氧化物换算计为1质量％以上10质量％以下的至少1种稀土元素的化合物粉末得到混合粉末的工序a；将混合粉末制成浆料并成型为多个生片的工序b；将多个生片隔着氮化硼粉末层叠层得到叠层组装体的工序c；和，将叠层组装体配置于烧结炉内并对叠层组装体进行烧结的工序d；在工序c中氮化硼粉末层的厚度为3μm以上20μm以下；工序d包括：在80Pa以下的真空气氛下保持900℃以上1300℃以下的气氛温度，从生片中除去碳的工序d1，和在工序d1之后在氮气氛下以1600℃以上2000℃以下的气氛温度使生片烧结的工序d2。
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公开(公告)号：CN103781742B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201280043278.6
申请日：2012-10-11
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 加贺洋一郎
IPC: C04B35/584 , C04B35/64 , C04B37/02 , H01L23/13 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B18/00 , C04B35/583 , C04B35/587 , C04B35/64 , C04B37/026 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/767 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/85 , C04B2235/963 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/361 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H05K2201/0175 , H05K2203/1126 , H05K2203/1131 , Y10T428/24421 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化硅基板的制造方法，该氮化硅基板含有以氮化硅粒子为主体的主相和主要由烧结助剂形成的晶界相，在所述制造方法中，使用含有氮化硼粉末、有机粘合剂和有机溶剂的氮化硼糊，在含有氮化硅粉末、烧结助剂粉末和有机粘合剂的板状成型体的表面形成分离层，加热该分离层和成型体，从分离层和成型体中除去有机粘合剂，然后，对隔着分离层多片层叠的成型体进行烧结。上述氮化硼糊按照下述方式构成：含有0.01～0.5质量%的氧(O)和0.001～0.5质量%的碳(C)，在将所述氮化硼糊的氮化硼粉末中所含的氧的含有率(质量%)记为c、将所述脱脂工序后的分离层中所含的碳的含有率(质量%)记为a时，c/a为0.02～10.00的范围，进而，在所述分离层形成工序中，在成型体上形成的分离层含有0.2～3.5mg/cm2的六方晶氮化硼粉末。
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公开(公告)号：CN114380603B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210085938.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/593 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结基板的制造方法，包括：混合80质量％以上98.3质量％以下的Si3N4粉末、以氧化物换算计为0.7质量％以上10质量％以下的Mg化合物粉末和以氧化物换算计为1质量％以上10质量％以下的至少1种稀土元素的化合物粉末得到混合粉末的工序a；将混合粉末制成浆料并成型为多个生片的工序b；将多个生片隔着氮化硼粉末层叠层得到叠层组装体的工序c；和，将叠层组装体配置于烧结炉内并对叠层组装体进行烧结的工序d；在工序c中氮化硼粉末层的厚度为3μm以上20μm以下；工序d包括：在80Pa以下的真空气氛下保持900℃以上1300℃以下的气氛温度，从生片中除去碳的工序d1，和在工序d1之后在氮气氛下以1600℃以上2000℃以下的气氛温度使生片烧结的工序d2。
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公开(公告)号：CN103781742A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043278.6
申请日：2012-10-11
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 加贺洋一郎
IPC: C04B35/584 , C04B35/64 , C04B37/02 , H01L23/13 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B18/00 , C04B35/583 , C04B35/587 , C04B35/64 , C04B37/026 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/767 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/85 , C04B2235/963 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/361 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H05K2201/0175 , H05K2203/1126 , H05K2203/1131 , Y10T428/24421 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化硅基板的制造方法，该氮化硅基板含有以氮化硅粒子为主体的主相和主要由烧结助剂形成的晶界相，在所述制造方法中，使用含有氮化硼粉末、有机粘合剂和有机溶剂的氮化硼糊，在含有氮化硅粉末、烧结助剂粉末和有机粘合剂的板状成型体的表面形成分离层，加热该分离层和成型体，从分离层和成型体中除去有机粘合剂，然后，对隔着分离层多片层叠的成型体进行烧结。上述氮化硼糊按照下述方式构成：含有0.01～0.5质量%的氧(O)和0.001～0.5质量%的碳(C)，在将所述氮化硼糊的氮化硼粉末中所含的氧的含有率(质量%)记为c、将所述脱脂工序后的分离层中所含的碳的含有率(质量%)记为a时，c/a为0.02～10.00的范围，进而，在所述分离层形成工序中，在成型体上形成的分离层含有0.2～3.5mg/cm2的六方晶氮化硼粉末。
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公开(公告)号：CN108495831A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780008097.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03
CPC classification number: C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm3以上，上述端部的密度de为3.160g/cm3以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc为0.50以上。
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