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公开(公告)号：CN114380603B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210085938.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/593 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结基板的制造方法，包括：混合80质量％以上98.3质量％以下的Si3N4粉末、以氧化物换算计为0.7质量％以上10质量％以下的Mg化合物粉末和以氧化物换算计为1质量％以上10质量％以下的至少1种稀土元素的化合物粉末得到混合粉末的工序a；将混合粉末制成浆料并成型为多个生片的工序b；将多个生片隔着氮化硼粉末层叠层得到叠层组装体的工序c；和，将叠层组装体配置于烧结炉内并对叠层组装体进行烧结的工序d；在工序c中氮化硼粉末层的厚度为3μm以上20μm以下；工序d包括：在80Pa以下的真空气氛下保持900℃以上1300℃以下的气氛温度，从生片中除去碳的工序d1，和在工序d1之后在氮气氛下以1600℃以上2000℃以下的气氛温度使生片烧结的工序d2。
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公开(公告)号：CN108495831B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201780008097.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/587 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm3以上，上述端部的密度de为3.160g/cm3以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc为0.50以上。
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公开(公告)号：CN114380603A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210085938.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/593 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结基板的制造方法，包括：混合80质量％以上98.3质量％以下的Si3N4粉末、以氧化物换算计为0.7质量％以上10质量％以下的Mg化合物粉末和以氧化物换算计为1质量％以上10质量％以下的至少1种稀土元素的化合物粉末得到混合粉末的工序a；将混合粉末制成浆料并成型为多个生片的工序b；将多个生片隔着氮化硼粉末层叠层得到叠层组装体的工序c；和，将叠层组装体配置于烧结炉内并对叠层组装体进行烧结的工序d；在工序c中氮化硼粉末层的厚度为3μm以上20μm以下；工序d包括：在80Pa以下的真空气氛下保持900℃以上1300℃以下的气氛温度，从生片中除去碳的工序d1，和在工序d1之后在氮气氛下以1600℃以上2000℃以下的气氛温度使生片烧结的工序d2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108495831A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780008097.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03
CPC classification number: C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm3以上，上述端部的密度de为3.160g/cm3以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc为0.50以上。
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公开(公告)号：CN1890396A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036417.8
申请日：2004-12-13
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C2/00
CPC classification number: C04B35/593 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/5445 , C04B2235/723 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C23C2/003 , F16C13/00 , Y10T29/49552
Abstract: 一种熔融金属镀浴用辊子，由与钢板接触的中空状主体部、和与所述主体部接合的轴部构成，其中，至少所述主体部由常温下的热传导率为50W/(m·K)以上的氮化硅系陶瓷构成，所述主体部的平均表面粗糙度Ra为1～20μm。优选通过热压配合进行主体部与轴部的接合。
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公开(公告)号：CN100494466C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480036417.8
申请日：2004-12-13
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C2/00
CPC classification number: C04B35/593 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/5445 , C04B2235/723 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C23C2/003 , F16C13/00 , Y10T29/49552
Abstract: 一种熔融金属镀浴用辊子，由与钢板接触的中空状主体部、和与所述主体部接合的轴部构成，其中，至少所述主体部由常温下的热传导率为50W/(m·K)以上的氮化硅系陶瓷构成，所述主体部的平均表面粗糙度Ra为1～20μm。优选通过热压配合进行主体部与轴部的接合。
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公开(公告)号：CN1192989C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01137963.4
申请日：2001-09-20
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/584 , C04B35/64 , C01B21/068 , H01L23/12 , H01L35/00
CPC classification number: H05K1/0306 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01P2004/03 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H05K2201/0355 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , Y10T428/252 , Y10T428/26 , Y10T428/266 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及氮化硅粉、其烧结体、基板以及含该基板的电路板和热元件模块。含有Mg和从La、Y、Gd以及Yb组成的一组中选择的至少一种稀土类元素，在将Mg换算为MgO，将稀土类元素换算为稀土类氧化物(RExOy)时，上述元素的氧化物换算含量的总计为0.6～7重量%的氮化硅烧结体。氮化硅烧结体是把β比率为30～100%、含氧量小于0.5重量%、平均粒径为0.2～10μm、长宽比小于10的第1氮化硅粉末1～50重量分和平均粒径为0.2～4μm的α型第2氮化硅粉末99～50重量分，在1,800℃以上的温度以及5个大气压以上压力的氮气氛中烧结制造的。
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公开(公告)号：CN1356292A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01137963.4
申请日：2001-09-20
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/584 , C04B35/64 , C01B21/068 , H01L23/12 , H01L35/00
CPC classification number: H05K1/0306 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01P2004/03 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H05K2201/0355 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , Y10T428/252 , Y10T428/26 , Y10T428/266 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及氮化硅粉、其烧结体、基板以及含该基板的电路板和热元件模块。含有Mg和从La、Y、Gd以及Yb组成的一组中选择的至少一种稀土类元素,在将Mg换算为MgO,将稀土类元素换算为稀土类氧化物(RExOy)时,上述元素的氧化物换算含量的总计为0.6～7重量%的氮化硅烧结体。氮化硅烧结体是把β比率为30～100%、含氧量小于0.5重量%、平均粒径为0.2～10μm、长宽比小于10的第1氮化硅粉末1～50重量份和平均粒径为0.2～4μm的α型第2氮化硅粉末99～50重量份,在1,800℃以上的温度以及5个大气压以上压力的氮气氛中烧结制造的。
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