微通道芯片及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115605425A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202180034465.7

    申请日:2021-05-24

    Inventor: 西冈宽哉

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种微通道芯片及其制造方法,上述微通道芯片即使进行高温高压灭菌处理,通道也不会变形,可维持基板彼此的强有力的接合性。本发明的微通道芯片包含在至少一个表面形成有微细通道的通道基板、盖基板、以及将它们接合的接合层,通道基板、盖基板以及接合层由环状烯烃聚合物构成,构成通道基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tgs1、构成盖基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tgs2、构成接合层的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg2的关系为:Tgs1>Tg2、且Tgs2>Tg2,接合层的厚度在规定的范围。

    相位差膜及相位差膜的制造方法

    公开(公告)号:CN111868583B

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN201980019761.2

    申请日:2019-03-18

    Abstract: 本发明提供一种相位差膜,其由包含共聚物P的树脂C形成,上述共聚物P包含聚合单元A和聚合单元B,该相位差膜包含显现结构性双折射的柱状(Cylinder)的相分离结构,上述相分离结构包含以上述聚合单元A作为主要成分的相(A)和以上述聚合单元B作为主要成分的相(B),该相位差膜满足下述条件(1)或(2)。条件(1):D(A)>D(B)、且f(B)>0.5、且面内方向中提供最大的折射率的方向与上述相分离结构中的柱的取向方向平行。条件(2):D(A)>D(B)、且f(A)>0.5、且面内方向中提供最大的折射率的方向与上述相分离结构中的柱的取向方向正交。在此f(A)、f(B)、D(A)及D(B)如说明书的定义所述。

    接合体及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118434566A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202380015525.X

    申请日:2023-03-02

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种弯曲弹性模量和接合强度优异且抑制水蒸气产生下的雾度增大引起的透明度降低的接合体。本发明的接合体包含以热塑性树脂为材料的多个成型体和将上述成型体彼此接合的接合层,接合层包含至少一种环状烯烃聚合物和规定范围的沸点的溶剂性成分,接合体包含规定的微量浓度范围的规定范围的沸点的溶剂性成分。

    层叠体及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117769654A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202280053999.9

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种层叠体及其制造方法,上述层叠体能够用作在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片。本发明的层叠体的特征在于,其是将以环状烯烃聚合物为材料的带通道基板和以环状烯烃聚合物为材料的盖材经由以两种以上环状烯烃聚合物的混合物为材料的接合剂接合而成的层叠体,作为接合剂的材料的环状烯烃聚合物的混合物的玻璃化转变温度比作为带通道基板的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度和作为盖材的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度这两者低20℃以上,并且为68℃以上且138℃以下。

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