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公开(公告)号：CN114878921B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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公开(公告)号：CN119691415A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411498420.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F18/21 , G06F18/214 , G06N3/06 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的射频微系统三维封装工艺良率预测方法，首先，将射频微系统封装工艺流程划分为四个关键工艺步骤，收集各步骤中涉及的工艺参数与相应的良率信息；然后构建多层次神经网络架构，包括四个子网络和一个主网络，四个子网络分别对应封装过程中的四个关键工艺步骤，根据输入的工艺参数与相应的良率信息，预测出各关键工艺步骤的良率，主网络整合四个子网络的输出和输入参数，对整个射频微系统封装工艺良率进行最终预测；最后将多层次神经网络架构集成到射频微系统的三维封装工艺管理系统中，进行实时良率预测和预警，优化调整工艺流程，提高封装工艺的成功率，减少因缺陷导致的成品失效，最终提高生产效率和经济效益。
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公开(公告)号：CN119236040A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411467073.1
申请日：2024-10-21
Applicant: 扬州大学
IPC: A61K36/9068 , A61P3/10 , A61P3/06 , A61P3/04 , A23L33/105 , A23L2/38
Abstract: 本发明公开了一种中药制剂及其制备方法和在降糖和降脂中的应用。本发明的中药制剂不仅对于糖代谢相关酶包括α‑淀粉酶与α‑葡萄糖苷酶有较好的抑制能力，且对消化脂肪的胰脂肪酶以及胆固醇酯酶同样具有较高的抑制能力，且该抑制能力优于多种已报道的单一药食同源物提取物的抑制能力，优于经典方剂二陈汤以及二陈汤食品级基础方（去除中药法半夏）的抑制能力。本发明的中药制剂的抑制糖和脂相关消化酶能力与调节血糖血脂紊乱能力优于一线中成药降脂灵颗粒的调节效果，且与经典方剂二陈汤的调节效果无显著性差异（p＜0.05）。
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公开(公告)号：CN114676571B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210305326.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，基于TCAD的仿真平台，针对功率器件建立电学模型和单粒子模型，在不同的重离子辐照条件、不同的入射位置以及不同偏置条件下，对功率器件发生的单粒子硬错误进行鉴别；并对SEB和SEGR两种破坏性的瞬态过程通过程序跟踪某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件单粒子硬错误的机理进一步研究。本发明提供了一种功率器件发生SEB及SEGR两种单粒子硬错误的鉴别方法，能够鉴别出在固定条件下功率器件发生哪种单粒子硬错误，是一种快速、耗时少、经济的鉴别方法，能够为功率器件在航天型号工程中的防护设计提供技术支持。
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公开(公告)号：CN114692535A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210401979.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113569512A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110837558.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种P型栅GaNHEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法，基于建立的单粒子烧毁模型，可以精确计算单粒子烧毁时器件内部电参数空间分布特性、器件的安全工作电压范围，确定器件内部单粒子烧毁敏感区域，可实现P型栅GaNHEMT器件单粒子烧毁的敏感性评价，为其空间应用防护设计提供技术保障。
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公开(公告)号：CN105523575A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610073304.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 扬州大学
IPC: C01F7/56
CPC classification number: C01F7/56
Abstract: 本文公开发明了一种含铝废盐的处理方法，将工业生产上产生的含铝废盐经过高温脱水干燥后，加热至熔融状态滴加至冷却到的醇类溶剂中，待能够溶解的固体充分溶解后过滤，滤液通过蒸馏的方式将溶剂脱干。最后向脱干溶剂的釜残中加入到20％-30％浓度的盐酸中，充分搅拌并且分散，加入晶种后静置过滤得高含量的六水合三氯化铝，可以用作絮凝剂的制备。
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公开(公告)号：CN119476160A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411466032.0
申请日：2024-10-21
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/06 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种基于蒙卡‑有限元的MEMS器件多物理场仿真方法，用于在电子辐照环境下模拟MEMS器件的性能变化，通过Geant4对高能粒子辐照过程的能量沉积进行蒙特卡洛模拟，并将能量沉积数据导出为热源功率密度，再导入COMSOL，在COMSOL中构建多物理场模型，进行电‑热‑力多物理场耦合分析，全面评估MEMS器件在复杂环境中的性能变化。本发明方法针对多物理场相互作用对器件材料、结构及功能的综合作用，同时考虑辐射场对器件的电、热、力耦合影响，提供了更加精准的仿真分析手段，从而优化MEMS器件的设计，提高其在极端条件下的可靠性。
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公开(公告)号：CN117074918A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311077992.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种辐照条件下电迁移现象测试装置及测试方法，所述测试装置包括测试板，所述测试板包括芯片、设在芯片下方或下方的基板，以及焊接在芯片和基板之间的焊球组；辐射源，所述辐射源相对于测试板垂直布置，所述辐射源直接照射在测试板的焊球上；恒流源，所述恒流源与测试板连接并形成通电回路，所述测试板的焊球组中的位于两个端点的焊球处于上述通电回路中，作为电迁移现象的观测点，中间焊球处于通电回路之外，作为未通电的环境参考点。本发明可以对同一样品进行多次测试，可对样品的微观组织形貌进行观测。本发明方法为三维封装互连技术在航天领域的应用提供了重要的技术保障，能够提高互连结构在空间环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN116903700A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310626012.4
申请日：2023-05-30
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有抑制作物病原卵菌作用的八肽RR‑8及其应用，其包括：所述八肽氨基酸序列为RLLNRVRR，如SEQ ID No.1所示。本发明提供的小分子八肽RR‑8表现出对于作物病原卵菌的显著抑制效果，在实际使用中能够用于卵菌病害的防控，后续能够作为针对病原卵菌的绿色生物农药进行进一步的工业化生产和商业化使用。
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