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公开(公告)号：CN114878921B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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公开(公告)号：CN114878921A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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公开(公告)号：CN114595521B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210305322.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种微系统三维互连结构传输高频信号的总剂量效应建模方法，通过建立互连结构等效电路模型，优化电路参数使得互连结构与等效电路具有相同的散射参数，通过研究总剂量效应对该结构中敏感区域的影响，将总剂量效应对互连结构的影响转为等效电路中具体参数的变化，构建总剂量效应中的剂量与等效电路中电路参数的函数关系，由此构建出总剂量效应模型，实现了总剂量效应对互连结构性能传输影响的快速建模，输出结果和联合仿真。
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公开(公告)号：CN114595521A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210305322.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种微系统三维互连结构传输高频信号的总剂量效应建模方法，通过建立互连结构等效电路模型，优化电路参数使得互连结构与等效电路具有相同的散射参数，通过研究总剂量效应对该结构中敏感区域的影响，将总剂量效应对互连结构的影响转为等效电路中具体参数的变化，构建总剂量效应中的剂量与等效电路中电路参数的函数关系，由此构建出总剂量效应模型，实现了总剂量效应对互连结构性能传输影响的快速建模，输出结果和联合仿真。
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