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公开(公告)号：CN114878921B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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公开(公告)号：CN114676571B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210305326.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，基于TCAD的仿真平台，针对功率器件建立电学模型和单粒子模型，在不同的重离子辐照条件、不同的入射位置以及不同偏置条件下，对功率器件发生的单粒子硬错误进行鉴别；并对SEB和SEGR两种破坏性的瞬态过程通过程序跟踪某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件单粒子硬错误的机理进一步研究。本发明提供了一种功率器件发生SEB及SEGR两种单粒子硬错误的鉴别方法，能够鉴别出在固定条件下功率器件发生哪种单粒子硬错误，是一种快速、耗时少、经济的鉴别方法，能够为功率器件在航天型号工程中的防护设计提供技术支持。
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公开(公告)号：CN114692535A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210401979.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN113569512A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110837558.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种P型栅GaNHEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法，基于建立的单粒子烧毁模型，可以精确计算单粒子烧毁时器件内部电参数空间分布特性、器件的安全工作电压范围，确定器件内部单粒子烧毁敏感区域，可实现P型栅GaNHEMT器件单粒子烧毁的敏感性评价，为其空间应用防护设计提供技术保障。
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公开(公告)号：CN117669485A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311685630.2
申请日：2023-12-11
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G16C10/00 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件位移损伤与电离总剂量协和效应仿真方法，首先对器件进行二维建模，并进行TCAD器件仿真，优化校准器件仿真模型；然后在基本电学模型仿真的基础上，通过定义辐照缺陷能级和缺陷密度来模拟位移损伤辐射效应，对半导体器件进行位移损伤效应仿真；再根据器件的位移损伤仿真模型，通过定义器件氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷，引入总剂量效应，对半导体器件进行位移损伤与总剂量效应协和的仿真，最后得到位移损伤与总剂量效应模型；最后根据器件发生位移损伤与总剂量协和效应后的微观物理量的分布情况。本方法运用半导体工艺和器件仿真软件TCAD进行宽禁带半导体器件位移损伤与总剂量效应协和仿真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114691717A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210402325.7
申请日：2022-04-18
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F16/242 , G06F16/2458 , G06F16/248 , G06F16/25 , G06F16/28 , G06F16/29 , G06F9/451 , G06Q10/06 , G08B21/18 , G08B7/06
Abstract: 本发明公开了一种基于STK与QT交互的卫星危险性评估可视化方法，通过QT，将STKX组件以ActiveX控件的形式集成显示在GUI上，所述卫星危险性评估所需的数据以及模型预存在MySQL数据库中，所述MySQL数据库与QT预设的数据接口进行数据的输入和输出；所述卫星危险性评估所针对的卫星运行场景预存在所述MySQL数据库中，并经选择读取后载入所述ActiveX控件中，或者根据需要通过GUI建立新的卫星运行场景；所述卫星危险性评估包括在所述卫星运行场景下的单粒子风险评估，并将评估结果显示在GUI上。
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公开(公告)号：CN114817206B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210397578.X
申请日：2022-04-15
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F16/21 , G06F16/215 , G06F16/2458 , G06F16/25 , G06F16/26
Abstract: 本发明公开了一种航天器在轨空间风险管理系统，包括数据处理模块、载荷状态监视模块和环境态势显示模块，数据处理模块对航天器回传的数据进行预处理，包括三个子模块：数据解包、滤波处理和数据存储，以还原物理量、对缺失的数据进行卡尔曼滤波处理计算获得缺失数据的预估值、管理数据并存储；载荷状态监视模块读取所述数据处理模块处理后的载荷状态数据，按照选择的时间点或时间范围调用数据库相应的载荷数据，基于该载荷数据计算该时间范围内航天器所处空间环境的载荷数据平均值并显示，将该计算结果生成报表保存；环境态势显示模块按照选择的时间点或时间范围读取航天器的环境态势，并计算该时间点前后一段时间内环境态势的平均值并显示。
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公开(公告)号：CN113569512B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110837558.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种P型栅GaNHEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法，基于建立的单粒子烧毁模型，可以精确计算单粒子烧毁时器件内部电参数空间分布特性、器件的安全工作电压范围，确定器件内部单粒子烧毁敏感区域，可实现P型栅GaNHEMT器件单粒子烧毁的敏感性评价，为其空间应用防护设计提供技术保障。
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公开(公告)号：CN116306428A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310283439.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 扬州大学 , 扬州扬福科技有限公司
IPC: G06F30/34 , G06T17/20 , G06F30/331
Abstract: 本发明公开了一种SRAM型FPGA的辐射效应仿真方法，采用器件级建模仿真和电路级建模仿真相结合的方式，可以实现FPGA总剂量效应和单粒子效应协合作用的模拟仿真，分析多种辐射效应对FPGA工作状态的影响，解决了加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高的问题，有助于掌握器件内部微观参数变化和揭示损伤机理，可以实现对器件辐射损伤敏感性评价，为开展FPGA抗辐射评价和加固设计提供技术支撑，具有经济、便捷等特点，可以用于器件抗辐照能力的评价中，有助于提高器件在航天工程应用中可靠性。
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公开(公告)号：CN114878921A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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