公开(公告)号：CN117709175A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311705294.3

申请日：2023-12-13

Applicant: 扬州大学

Inventor： 曹荣幸 ,  陆雨鑫 ,  薛玉雄 ,  王玉才 ,  周炜翔 ,  许灏炀 ,  曾祥华 ,  李红霞

IPC: G06F30/25 ,  G06F30/10

Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4及TCAD的功率器件质子辐射损伤模拟方法，通过Geant4软件的输出实现使用TCAD软件对功率器件建立电学模型、位移损伤模型，实现在不同能量、不同注量下，质子辐照对功率器件发生的电离损伤与非电量损伤进行计算；并通过计算结果对由质子引起的缺陷态密度、缺陷能级等参数改变跟踪辐照前后某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件质子辐照损伤的机理进一步研究，从而为器件抗辐射损伤提供研究基础。

公开(公告)号：CN117669485A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311685630.2

申请日：2023-12-11

Applicant: 扬州大学

Inventor： 曹荣幸 ,  王玉才 ,  薛玉雄 ,  陆雨鑫 ,  周炜翔 ,  许灏炀 ,  李红霞 ,  韩丹 ,  曾祥华

IPC: G06F30/398 ,  G16C10/00 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件位移损伤与电离总剂量协和效应仿真方法，首先对器件进行二维建模，并进行TCAD器件仿真，优化校准器件仿真模型；然后在基本电学模型仿真的基础上，通过定义辐照缺陷能级和缺陷密度来模拟位移损伤辐射效应，对半导体器件进行位移损伤效应仿真；再根据器件的位移损伤仿真模型，通过定义器件氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷，引入总剂量效应，对半导体器件进行位移损伤与总剂量效应协和的仿真，最后得到位移损伤与总剂量效应模型；最后根据器件发生位移损伤与总剂量协和效应后的微观物理量的分布情况。本方法运用半导体工艺和器件仿真软件TCAD进行宽禁带半导体器件位移损伤与总剂量效应协和仿真。

公开(公告)号：CN219216616U

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202221199432.6

申请日：2022-05-12

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘艳 ,  蒋煜琪 ,  张博文 ,  王玉才 ,  曹荣幸 ,  薛玉雄 ,  曾祥华 ,  刘洋 ,  韩丹 ,  郑澍 ,  李红霞

IPC: B65G47/52 ,  B65G23/22 ,  B65G43/00

Abstract: 本实用新型公开了一种直流PNP型单驱分体式分拣机转向轮装置及控制系统，其包括：机架以及转向轮组件，所述机架上设有传输带，所述转向轮组件设于所述传输带一侧，还公开了一种流PNP型单驱分体式分拣机转向轮控制系统，其包括转向电机控制回路，所述转向电机控制回路包括驱动器芯片，所述驱动器芯片与第一电机M连接，所述驱动器芯片的第一引脚与第三插座的第五接线端连接，所述驱动器芯片的第二引脚与第三插座的第六接线端连接。本实用新型通过转向电机控制回路以及转向位置回路可以达到精准控制第一电机的效果，具有良好的线性调节以及快速的相应时间，极大地降低了用户的困扰，减少了转向轮的控制回路。