公开(公告)号：CN114692535A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210401979.8

申请日：2022-04-18

Applicant: 扬州大学

Inventor： 孟洋 ,  吕贺 ,  曹荣幸 ,  薛玉雄 ,  梅博 ,  张洪伟 ,  刘洋 ,  郑澍 ,  李红霞 ,  韩丹 ,  曾祥华 ,  李兴冀 ,  杨剑群

IPC: G06F30/3308 ,  G06F30/337 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。