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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114692535A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210401979.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN117074918A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311077992.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种辐照条件下电迁移现象测试装置及测试方法，所述测试装置包括测试板，所述测试板包括芯片、设在芯片下方或下方的基板，以及焊接在芯片和基板之间的焊球组；辐射源，所述辐射源相对于测试板垂直布置，所述辐射源直接照射在测试板的焊球上；恒流源，所述恒流源与测试板连接并形成通电回路，所述测试板的焊球组中的位于两个端点的焊球处于上述通电回路中，作为电迁移现象的观测点，中间焊球处于通电回路之外，作为未通电的环境参考点。本发明可以对同一样品进行多次测试，可对样品的微观组织形貌进行观测。本发明方法为三维封装互连技术在航天领域的应用提供了重要的技术保障，能够提高互连结构在空间环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN116976278A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310938014.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G06F30/394 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的互连结构工作温度及电流密度预测方法。该方法将机器学习方法应用于封装领域，充分利用历史实验和有限元仿真数据，通过数据驱动的方法得到输入(焊点高度、焊盘直径、通电电流)到输出(焊点处电流密度/工作温度)的非线性映射关系。具体为设计一种互连结构，通过有限元仿真得到不同参数下几十组工作温度和电流密度的数据，然后利用这些数据构造并训练BP神经网络模型。训练好的模型在给定输入下可预测出电流密度和工作温度。本发明方法成本低且耗时短，同时随着实验以及仿真数据的增多，模型会学习到更多数据间的关系，变得更加强大，预测也将会更加准确。
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公开(公告)号：CN114781308B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210422028.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。
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公开(公告)号：CN114781308A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210422028.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。
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