公开(公告)号：CN103151314A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210428275.6

申请日：2012-10-31

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 王文生

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3213 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上形成导电膜；在所述导电膜上形成第一铁电膜；在所述第一铁电膜上形成非晶态第二铁电膜；在所述第二铁电膜上形成含钌的过渡金属氧化物材料膜；在所述过渡金属氧化物材料膜上形成第一导电金属氧化物膜，而不将所述过渡金属氧化物材料膜暴露于空气；对所述第二铁电膜进行退火并使其结晶化；以及图案化所述第一导电金属氧化物膜、所述第一铁电膜、所述第二铁电膜以及所述导电膜以形成铁电电容器。本发明能够改善铁电电容器的反转电荷量以及压印特性，并且强化包括该铁电电容器的半导体器件的特性。

公开(公告)号：CN102117739A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201110021517.5

申请日：2007-06-14

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 王文生

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/105

摘要： 本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。

公开(公告)号：CN105810686A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201511021446.3

申请日：2015-12-31

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 置田阳一 ,  伊藤英树 ,  王文生

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L28/56 ,  H01L28/57 ,  H01L27/11502

摘要： 一种制造半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底之上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成介电膜；在介电膜上以一定间隔形成多个上电极；通过溅射法在上电极和介电膜上形成第一保护性绝缘膜；通过原子层沉积法在第一保护性绝缘膜上形成第二保护性绝缘膜，从而用第二保护性绝缘膜填充沿着介电膜的晶界的间隙；在第二保护性绝缘膜形成为提供下电极之后使导电膜形成图案。

公开(公告)号：CN101641782B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880006592.0

申请日：2008-01-25

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 王文生

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L21/02104 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： 提供一种半导体器件及其制造方法，改善构成铁电电容器的电容器上部电极的结晶度。电容器上部电极包括：第一层57，由第一氧化物构成，使用组成参数x1来将该第一氧化物表示为化学式AOx1(A：金属元素)，使用组成参数x2来将该第一氧化物的实际组成表示为化学式AOx2；第二层58，由第二氧化物形成在第一层57上，使用组成参数y1来将该第二氧化物表示为化学式BOy1，使用组成参数y2来将该第二氧化物的实际组成表示为化学式BOy2(B：金属元素)，第二层58由石墙状或柱状的晶体构成，氧化比例比第一层高，并且组成参数x1、x2、y1及y2之间满足关系y2/y1＞x2/x1；第三层59，形成在第二层58上，并且由贵金属或含有贵金属的合金或者它们的氧化物构成。

公开(公告)号：CN102136478B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110021520.7

申请日：2007-06-14

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 王文生

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/02

摘要： 本发明半导体装置的制造方法以及半导体装置,形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。

公开(公告)号：CN101636836B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200780052222.6

申请日：2007-03-20

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 王文生

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： 一种半导体装置，包括基板和形成在所述基板上的铁电电容器，所述铁电电容器包括下部电极、形成在所述下部电极上的铁电膜和形成在所述铁电膜上的上部电极，所述上部电极包括：第一层，由化学计量组成使用组成参数x1以化学式AOx1表示且实际的组成使用组成参数x2以化学式AOx2表示的氧化物构成；第二层，形成在所述第一层上，由化学计量组成使用组成参数y1以化学式BOy1表示且实际的组成使用组成参数y2以化学式BOy2表示的氧化物构成；金属层，形成在所述第二层上；所述第二层的氧化比例高于所述第一层的氧化比例，所述组成参数x1、x2、y1和y2间的关系满足y2/y1＞x2/x1，在所述第二层上并在与所述金属层的界面上形成由氧化比例更高的化学计量组成的界面层。

公开(公告)号：CN109166852A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201811113251.5

申请日：2015-12-31

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 置田阳一 ,  伊藤英树 ,  王文生

IPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L28/56 ,  H01L28/57

摘要： 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，特别是一种制造半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底之上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成介电膜；在介电膜上以一定间隔形成多个上电极；通过溅射法在上电极和介电膜上形成第一保护性绝缘膜；在该第一保护性绝缘膜形成之后，通过原子层沉积法在第一保护性绝缘膜上形成第二保护性绝缘膜，从而用第二保护性绝缘膜填充沿着介电膜的晶界的间隙；在第二保护性绝缘膜形成后，使导电膜形成图案以提供下电极。

公开(公告)号：CN103151314B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210428275.6

申请日：2012-10-31

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 王文生

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3213 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上形成导电膜；在所述导电膜上形成第一铁电膜；在所述第一铁电膜上形成非晶态第二铁电膜；在所述第二铁电膜上形成含钌的过渡金属氧化物材料膜；在所述过渡金属氧化物材料膜上形成第一导电金属氧化物膜，而不将所述过渡金属氧化物材料膜暴露于空气；对所述第二铁电膜进行退火并使其结晶化；以及图案化所述第一导电金属氧化物膜、所述第一铁电膜、所述第二铁电膜以及所述导电膜以形成铁电电容器。本发明能够改善铁电电容器的反转电荷量以及压印特性，并且强化包括该铁电电容器的半导体器件的特性。

公开(公告)号：CN101189721B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN200580049945.1

申请日：2005-06-02

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 王文生

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L24/05 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： 在半导体衬底(10)的上方形成铁电电容器(42)后，形成直接覆盖铁电电容器(42)的阻挡膜(46)。然后，形成与铁电电容器(42)连接的布线(56a等)。进一步，在布线(42)的上方形成阻挡膜(58)。而且，在形成阻挡膜(46)时形成层叠体，上述层叠体至少具有两种组分不同并且可防止氢或水扩散的防扩散膜(46a以及46b)。

公开(公告)号：CN102136478A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110021520.7

申请日：2007-06-14

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 王文生

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/02

摘要： 本发明半导体装置的制造方法以及半导体装置,形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。