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公开(公告)号：CN120026380A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510036844.X
申请日：2025-01-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磺酸体系的Sn‑Ag微凸点电镀液及其制备方法与应用，包括以下的组分：磺酸、锡盐、银盐、络合剂、晶粒细化剂、整平剂、分散剂、稳定剂；络合剂包括含硫吡啶类化合物和硫脲类化合物；晶粒细化剂为花色素类化合物；整平剂为不饱和羰基类化合物；分散剂为高分子量嵌段共聚物；稳定剂为苯酚类化合物。本发明的电镀液具有高电流效率，可有效调控微凸点形貌，提升其平整性和共面性，适用于高电流密度下在晶圆上形成微米级致密、平滑的Sn‑Ag微凸点，应用于高密度集成电路芯片的互连制造。
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公开(公告)号：CN119736676A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510237651.0
申请日：2025-03-03
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种巯基磺酸无氰镀金电镀液及其制备方法与应用，属于电镀技术领域，巯基磺酸无氰镀金电镀液包括金源、络合剂、添加剂和pH缓冲剂；金源为巯基磺酸金盐；巯基磺酸无氰镀金电镀液的pH为2~13。本发明提供的巯基磺酸无氰镀金电镀液不含有剧毒物质，采用的巯基磺酸金盐具有较高的稳定性，使巯基磺酸无氰镀金电镀液具有较高的稳定性和较长的使用寿命，即使在高低温变化、光照、长时间存储或长时间电镀后仍保持澄清透明状态和相同电镀效果，从而有效保证电镀得到的镀金件性能，镀金件纯度大于99.9%、结合性良好、孔隙率低、平整致密、外观金黄光亮，有利于在电子器件和半导体制造中应用。
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公开(公告)号：CN105780071B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610343759.9
申请日：2016-05-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au‑Sn合金镀液及其制备方法，以及利用该无氰Au‑Sn合金镀液进行电镀的方法，属于电镀领域。一种无氰Au‑Sn合金镀液，由下述原料组分制得：金离子0.01～0.08mol/L，亚锡离子0.02～0.24mol/L，亚锡离子络合剂0.12～2.40mol/L，乙内酰脲及其衍生物0.08～1.50mol/L，亚硫酸盐0.06～2.00mol/L，稳定剂0.01～0.30mol/L，亚锡离子抗氧化剂0.02～0.06mol/L。本发明无氰金‑锡镀液具有较高的稳定性、镀层成分可控、制备方法简便、易于操作、废液易于回收等特点，室温下镀液可以长期保存(2个月以上)，因此有望应用于实际的生产中。
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公开(公告)号：CN105609450B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610154070.1
申请日：2016-03-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种三维封装垂直通孔的填充装置，包括金属液喷射装置和填充工作区，其特征在于：坩埚为内外嵌套圆环式结构，填充材料填入到内容纳腔与外容纳腔之间的腔内，通过与压电陶瓷相连的传动杆带动压片挤压中心孔内的金属液使金属液从喷射孔喷出；坩埚通过连接有三维运动控制器的坩埚支架与腔体上部相连，使坩埚运动自如，与填充工作区的衬底配合，完成填充。本发明还公开了应用上述装置填充三维封装垂直通孔的方法。本发明通过金属液喷射装置和填充工作区的工作平台的协同配合，可形成均一液滴且频率可控，也可以形成稳流液线，实现三维封装垂直通孔的金属化填充，尺寸精度高、气孔率低、填充效率高、成本低、工艺简单、可自动化生产。
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公开(公告)号：CN104651898B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510065103.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D11/00
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将涂覆焊剂的第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时施加直流电流形成电流密度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104701283B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510069932.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间施加直流电流，在钎料内形成电流密度。利用所述方法制备的金属间化合物填充三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿电流方向具有单一取向。本发明在钎焊回流处理过程中施加直流电流，加速金属间化合物的形成生长速率，显著提高了制作效率；金属间化合物从阳极金属层向阴极金属片连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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公开(公告)号：CN104701249B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201510069933.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , B23K1/00
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形成温度梯度。利用所述方法制备的金属间化合物填充的三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明在一定温度梯度下进行钎焊反应，加速金属间化合物的形成和生长速率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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公开(公告)号：CN120060939A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510123439.1
申请日：2025-01-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/38 , H01L21/288 , C25D5/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米孪晶铜电镀添加剂及电镀液，所述纳米孪晶铜电镀添加剂中，分子量100000Da以上组分的质量分数为0～20％，分子量10000Da以下组分的质量分数为30％～100％。本发明的添加剂具有优异且稳定的孪晶促进作用，提高了纳米孪晶铜电镀的工艺稳定性和可重复性，拓宽了电镀的工艺窗口。采用包含该添加剂的纳米孪晶铜电镀液进行电镀，能够获得组织均匀性好、性能优异、择优程度大于95％的(111)择优取向纳米孪晶铜镀层，有利于在电子封装与半导体制造中应用。
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公开(公告)号：CN118431093A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410583065.7
申请日：2024-05-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种择优取向纳米孪晶铜柱凸点互连结构及其制备方法，提供具有钝化层的晶圆基底，并在钝化层的凹槽内设置金属焊盘；设置介电层，介电层覆盖在钝化层及金属焊盘上；选择性掩蔽和刻蚀介电层，使金属焊盘表面暴露在介电层窗口中；物理溅射种子层于介电层和暴露出来的金属焊盘上；在种子层上涂覆光刻胶层，并对光刻胶层图形化处理，以暴露出金属焊盘上方的种子层；采用直流电镀工艺制备铜柱；在铜柱上电镀焊料；去除光刻胶层；刻蚀介电层上的多余种子层；对铜柱顶端的焊料进行回流，得到钎料凸点。本发明的电镀液不含有添加剂以及氯离子，与Sn基钎料凸点互连后界面无柯肯达尔孔洞，提高了铜柱凸点互连结构制造及服役的可靠性。
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公开(公告)号：CN114411233B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210028237.5
申请日：2022-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
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