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公开(公告)号：CN104716058B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510068044.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L33/62 , H01L23/488
Abstract: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点，在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层，在第二可焊层的表面涂覆焊剂，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的生长速率，提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率；与半导体和封装技术工艺兼容性好，金属间化合物具有择优取向和热稳定性，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，实现低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN105780071A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610343759.9
申请日：2016-05-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au?Sn合金镀液及其制备方法，以及利用该无氰Au?Sn合金镀液进行电镀的方法，属于电镀领域。一种无氰Au?Sn合金镀液，由下述原料组分制得：金离子0.01～0.08mol/L，亚锡离子0.02～0.24mol/L，亚锡离子络合剂0.12～2.40mol/L，乙内酰脲及其衍生物0.08～1.50mol/L，亚硫酸盐0.06～2.00mol/L，稳定剂0.01～0.30mol/L，亚锡离子抗氧化剂0.02～0.06mol/L。本发明无氰金?锡镀液具有较高的稳定性、镀层成分可控、制备方法简便、易于操作、废液易于回收等特点，室温下镀液可以长期保存(2个月以上)，因此有望应用于实际的生产中。
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公开(公告)号：CN104716058A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510068044.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L33/62 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/488 , H01L24/04 , H01L33/62 , H01L2224/03 , H01L2224/04105
Abstract: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点，在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层，在第二可焊层的表面涂覆焊剂，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的生长速率，提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率；与半导体和封装技术工艺兼容性好，金属间化合物具有择优取向和热稳定性，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，实现低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN105780071B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610343759.9
申请日：2016-05-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au‑Sn合金镀液及其制备方法，以及利用该无氰Au‑Sn合金镀液进行电镀的方法，属于电镀领域。一种无氰Au‑Sn合金镀液，由下述原料组分制得：金离子0.01～0.08mol/L，亚锡离子0.02～0.24mol/L，亚锡离子络合剂0.12～2.40mol/L，乙内酰脲及其衍生物0.08～1.50mol/L，亚硫酸盐0.06～2.00mol/L，稳定剂0.01～0.30mol/L，亚锡离子抗氧化剂0.02～0.06mol/L。本发明无氰金‑锡镀液具有较高的稳定性、镀层成分可控、制备方法简便、易于操作、废液易于回收等特点，室温下镀液可以长期保存(2个月以上)，因此有望应用于实际的生产中。
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