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公开(公告)号：CN112103262B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202010964080.8
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , C22F1/08 , C22F3/00 , C25D3/30 , C25D5/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种控制全金属间化合物微互连焊点晶体取向及微观组织的方法，其特征在于，通过直流或脉冲电镀的方法依次在第一金属焊盘和第二金属焊盘上分别制备出择优取向纳米孪晶Cu作为凸点下金属化层；然后再在第一金属焊盘上的第一凸点下金属化层上制备无铅钎料凸点，将所述无铅钎料凸点和第二金属焊盘上的第二凸点下金属化层接触放置，并将二者进行回流焊处理，使其形成冶金结合。本发明中的择优取向全金属间化合物微互连结构具有优异的力学性能、优良的抗电迁移性能和高温服役可靠性，提高了电子器件的使用寿命，可广泛应用于工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114411233A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210028237.5
申请日：2022-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN112103262A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010964080.8
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , C22F1/08 , C22F3/00 , C25D3/30 , C25D5/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种控制全金属间化合物微互连焊点晶体取向及微观组织的方法，其特征在于，通过直流或脉冲电镀的方法依次在第一金属焊盘和第二金属焊盘上分别制备出择优取向纳米孪晶Cu作为凸点下金属化层；然后再在第一金属焊盘上的第一凸点下金属化层上制备无铅钎料凸点，将所述无铅钎料凸点和第二金属焊盘上的第二凸点下金属化层接触放置，并将二者进行回流焊处理，使其形成冶金结合。本发明中的择优取向全金属间化合物微互连结构具有优异的力学性能、优良的抗电迁移性能和高温服役可靠性，提高了电子器件的使用寿命，可广泛应用于工业生产。
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公开(公告)号：CN120060939A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510123439.1
申请日：2025-01-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/38 , H01L21/288 , C25D5/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米孪晶铜电镀添加剂及电镀液，所述纳米孪晶铜电镀添加剂中，分子量100000Da以上组分的质量分数为0～20％，分子量10000Da以下组分的质量分数为30％～100％。本发明的添加剂具有优异且稳定的孪晶促进作用，提高了纳米孪晶铜电镀的工艺稳定性和可重复性，拓宽了电镀的工艺窗口。采用包含该添加剂的纳米孪晶铜电镀液进行电镀，能够获得组织均匀性好、性能优异、择优程度大于95％的(111)择优取向纳米孪晶铜镀层，有利于在电子封装与半导体制造中应用。
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公开(公告)号：CN118431093A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410583065.7
申请日：2024-05-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种择优取向纳米孪晶铜柱凸点互连结构及其制备方法，提供具有钝化层的晶圆基底，并在钝化层的凹槽内设置金属焊盘；设置介电层，介电层覆盖在钝化层及金属焊盘上；选择性掩蔽和刻蚀介电层，使金属焊盘表面暴露在介电层窗口中；物理溅射种子层于介电层和暴露出来的金属焊盘上；在种子层上涂覆光刻胶层，并对光刻胶层图形化处理，以暴露出金属焊盘上方的种子层；采用直流电镀工艺制备铜柱；在铜柱上电镀焊料；去除光刻胶层；刻蚀介电层上的多余种子层；对铜柱顶端的焊料进行回流，得到钎料凸点。本发明的电镀液不含有添加剂以及氯离子，与Sn基钎料凸点互连后界面无柯肯达尔孔洞，提高了铜柱凸点互连结构制造及服役的可靠性。
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公开(公告)号：CN114411233B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210028237.5
申请日：2022-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
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