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公开(公告)号：CN119857961A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510180664.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种In与Sb协同强化的Sn260‑2xAg10Cu2InxSbx无铅钎料合金，包括以下质量百分比的组分：3.4%的Ag、0.4%的Cu、1.4~5.7%的In、1.5~6.1%的Sb，余量为Sn，其中，In与Sb原子比为1:1。本发明优化设计Sn‑Ag‑Cu系钎料合金，同时添加In元素与Sb元素，得到In与Sb协同强化的Sn260‑2xAg10Cu2InxSbx无铅钎料合金，具有优异的剪切强度和塑性。本发明的无铅钎料合金可以采用目前主流的Sn‑3.0Ag‑0.5Cu无铅钎料合金的回流工艺进行钎焊，具有焊接强度高、时效前后剪切性能良好、成本适中、无铅更加环保等优点，特别适用于BGA及WLCSP封装。
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公开(公告)号：CN119820173A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510181139.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金，所述钎料合金包括以下质量百分比的组分：3.4%的Ag、0.4%的Cu、1.4~2.8%的In，1.3~2.6%的Bi、0.8~1.5%的Sb，余量为Sn；Bi原子和Sb原子之和与In原子的原子数量比为1:1；满足Sn‑Ag‑Cu‑In‑Bi‑Sb六元团簇式：Sn260‑4xAg10Cu2In2xBixSbx。本发明的无铅钎料合金具有与普遍使用的Sn‑Ag‑Cu合金适配的工艺性能、良好的润湿性能、优异的力学性能，特别适用于SoC芯片封装。
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公开(公告)号：CN119736680A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510237654.4
申请日：2025-03-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/62 , C25D5/00 , C25D5/18 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种无氰Au‑Sn电镀液与应用，属于电镀技术领域，电镀液由金源、锡源、金络合剂、锡络合剂、添加剂和pH缓冲剂组成；金源为巯基磺酸金盐；锡络合剂为巯基乙酸及其盐；无氰Au‑Sn电镀液的pH为3~11。本发明提供的电镀液不含有剧毒物质，具有较高的存储稳定性和电镀稳定性，即使在高低温变化、光照、长时间存储或长时间电镀后仍保持澄清透明状态，在长时间存储或长时间电镀内获得成分均一稳定且重现性高的Au‑Sn合金镀件，从而有效保证电镀得到的Au‑Sn合金镀件性能，电镀液性能优异，有利于在微电子或光电子器件的封装技术中的应用。
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公开(公告)号：CN117840629A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410031970.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/26 , B23K1/00 , C22C1/02 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种低熔点In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料及其制备方法、应用，In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料包括以下质量百分比的组分：15％～25％的Sn、10％～30％的In、1％～12％的Ag和40％～60％的Bi；In和Ag的原子百分比之和与Bi和Sn的原子百分比为35.7：39.3：25。基于“(团簇)连接原子”理论模型，并结合相图、混合焓及强交互作用原则，在Sn‑Bi基础上联合Ag元素和In元素的复合添加，并严格控制各合金元素成分配比，具有低熔点、Cu和Ni基板润湿性良好、焊接强度高、成本适中、无铅更加环保等优点，尤其适用于柔性基板互连，也可应用于3D IC多层封装。
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公开(公告)号：CN114411233A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210028237.5
申请日：2022-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103262A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010964080.8
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , C22F1/08 , C22F3/00 , C25D3/30 , C25D5/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种控制全金属间化合物微互连焊点晶体取向及微观组织的方法，其特征在于，通过直流或脉冲电镀的方法依次在第一金属焊盘和第二金属焊盘上分别制备出择优取向纳米孪晶Cu作为凸点下金属化层；然后再在第一金属焊盘上的第一凸点下金属化层上制备无铅钎料凸点，将所述无铅钎料凸点和第二金属焊盘上的第二凸点下金属化层接触放置，并将二者进行回流焊处理，使其形成冶金结合。本发明中的择优取向全金属间化合物微互连结构具有优异的力学性能、优良的抗电迁移性能和高温服役可靠性，提高了电子器件的使用寿命，可广泛应用于工业生产。
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公开(公告)号：CN120060938A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510237655.9
申请日：2025-03-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/32
Abstract: 本发明公开了一种中性光亮镀锡电镀液及其制备方法与应用，电镀液由锡盐、锡络合剂、光亮剂、分散剂和pH缓冲剂组成；锡盐的摩尔浓度为0.10mol/L～0.40mol/L；锡络合剂为巯基乙酸及其盐；光亮剂为黄酮醇类物质；分散剂为壬基酚聚氧乙烯醚类物质；中性光亮镀锡电镀液的pH为6.0～8.0。本发明提供的电镀液具有较高的稳定性和使用寿命，析氢现象较小，组分简单，易于管理，通过各组分之间的协同作用提高了电镀液的分散能力、覆盖能力，从而有效保证电镀制备的镀锡件性能，镀锡件结合性良好、孔隙率低、均匀致密、外观光亮，有利于在电子元件或机械制造技术中的应用。
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公开(公告)号：CN119857962A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510182017.1
申请日：2025-02-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性低温Sn‑Bi基无铅钎料合金，所述合金基于包含β‑Sn(Bi)固溶体相的亚共晶双团簇模型，合金成分按质量百分比计，包括38.2 %的Bi，3.7~4.0 %的In，0~1.0 %的Ag，0~0.8 %的Cu，余量为Sn；所述合金的亚共晶双团簇模型，包含β‑Sn(Bi)固溶体相的结构单元为[Sn‑Sn10] Bi3Sn1，亚共晶双团簇解析式表述为：8[Sn‑Sn10] Bi3In1 + 2[Sn‑Sn10] Bi3Sn1 + 1[Bi‑Bi6] Bi5=Sn112Bi42In8=Sn‑38.2Bi‑3.9In。本发明的低温钎料具有熔点较低、塑性韧性高等优点，具有较高的剪切强度，且能够匹配当前工业用低温回流工艺，适合作为新型低温钎料应用在消费类电子产品或新型太阳能电池等低温钎焊的应用场景。
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公开(公告)号：CN117626367A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311660092.1
申请日：2023-12-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/60 , C25D7/12 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性Sn‑Ag合金电镀液及其制备方法和应用，属于电镀技术领域。所述Sn‑Ag合金电镀液包含如下组分：有机酸、锡离子源、银离子源、含硫吡啶类物质、氨基酸、抗氧化剂。其中所述含硫吡啶类物质具有单硫键或双硫键。该Sn‑Ag合金电镀液具有高稳定性，可在室温下稳定存放及连续使用6个月以上，具有较宽的电流密度窗口和较高的电流效率，实现微纳尺度晶圆级平整致密的Sn‑Ag微凸点的制备，可应用于高密度集成电路芯片互连制造中。
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公开(公告)号：CN112103262B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202010964080.8
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , C22F1/08 , C22F3/00 , C25D3/30 , C25D5/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种控制全金属间化合物微互连焊点晶体取向及微观组织的方法，其特征在于，通过直流或脉冲电镀的方法依次在第一金属焊盘和第二金属焊盘上分别制备出择优取向纳米孪晶Cu作为凸点下金属化层；然后再在第一金属焊盘上的第一凸点下金属化层上制备无铅钎料凸点，将所述无铅钎料凸点和第二金属焊盘上的第二凸点下金属化层接触放置，并将二者进行回流焊处理，使其形成冶金结合。本发明中的择优取向全金属间化合物微互连结构具有优异的力学性能、优良的抗电迁移性能和高温服役可靠性，提高了电子器件的使用寿命，可广泛应用于工业生产。
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