公开(公告)号：CN120060939A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510123439.1

申请日：2025-01-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄明亮 ,  黄斐斐 ,  刘怡泽 ,  张诗楠 ,  阎艳

IPC: C25D3/38 ,  H01L21/288 ,  C25D5/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米孪晶铜电镀添加剂及电镀液，所述纳米孪晶铜电镀添加剂中，分子量100000Da以上组分的质量分数为0～20％，分子量10000Da以下组分的质量分数为30％～100％。本发明的添加剂具有优异且稳定的孪晶促进作用，提高了纳米孪晶铜电镀的工艺稳定性和可重复性，拓宽了电镀的工艺窗口。采用包含该添加剂的纳米孪晶铜电镀液进行电镀，能够获得组织均匀性好、性能优异、择优程度大于95％的(111)择优取向纳米孪晶铜镀层，有利于在电子封装与半导体制造中应用。

公开(公告)号：CN118431093A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410583065.7

申请日：2024-05-11

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄明亮 ,  黄斐斐 ,  任婧 ,  张艳艳 ,  张诗楠 ,  刘怡泽 ,  刘晓英

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种择优取向纳米孪晶铜柱凸点互连结构及其制备方法，提供具有钝化层的晶圆基底，并在钝化层的凹槽内设置金属焊盘；设置介电层，介电层覆盖在钝化层及金属焊盘上；选择性掩蔽和刻蚀介电层，使金属焊盘表面暴露在介电层窗口中；物理溅射种子层于介电层和暴露出来的金属焊盘上；在种子层上涂覆光刻胶层，并对光刻胶层图形化处理，以暴露出金属焊盘上方的种子层；采用直流电镀工艺制备铜柱；在铜柱上电镀焊料；去除光刻胶层；刻蚀介电层上的多余种子层；对铜柱顶端的焊料进行回流，得到钎料凸点。本发明的电镀液不含有添加剂以及氯离子，与Sn基钎料凸点互连后界面无柯肯达尔孔洞，提高了铜柱凸点互连结构制造及服役的可靠性。