公开(公告)号：CN1298887C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410030292.X

申请日：2004-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 李廷凯 ,  庄维佛 ,  L·J·查内斯基 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐

IPC: C23C16/40 ,  H01C17/14

CPC classification number: G11C13/0007 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: 提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。

公开(公告)号：CN1497735A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03110616.1

申请日：2003-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕 ,  李廷凯

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/105 ,  H01L21/335 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种非易失性铁电存储器件，这种存储器件消除了与漏电流相关的晶体管存储保持性能变劣的问题。本发明的铁电存储晶体管包括：具有源区、栅区和漏区的衬底；位于栅区的栅极叠层，该栅极叠层包括：包含第一高k杯和第二高k杯在内的高k绝缘体元件、封闭在所述高k绝缘体元件内的铁电元件，以及位于所述高k绝缘体元件上部的上电极；位于所述衬底和栅极叠层上方的钝化氧化物层；以及喷涂金属，用于为源区、漏区、和栅极叠层形成相应的触点。

公开(公告)号：CN1262683C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200310123290.0

申请日：2003-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 庄维佛 ,  许胜籐 ,  潘威

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  H01L21/3205

CPC classification number: G11C13/0007 ,  C23C16/40 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: MOCVD法用于形成含金属膜，含金属膜的通式是M’xM”(1-x)MyOz，其中，M’是选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Y、Sc、Yb、Lu和Gd的金属；M”是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Zn和Cd的金属；M是选自Mn、Ce、V、Fe、Co、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ni的金属；x是0-1；y是0、1或2；z是1-7的整数。MOCVD法使用选自醇盐前体、β-二酮化物前体和羰基金属前体的前体组合，生成包括电阻记忆材料的含金属膜。

公开(公告)号：CN1574215A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045717.4

申请日：2004-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L27/016 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641

Abstract: 提供了一种存储单元以及用来控制存储材料的电阻性质的方法。此方法包含：形成亚锰酸盐；在氧气氛中对亚锰酸盐进行退火；响应于退火而控制亚锰酸盐中的氧含量；以及响应于氧含量而控制通过亚锰酸盐的电阻。此亚锰酸盐是通式为RE1－xAExMnOy的钙钛矿型氧化锰，其中，RE是稀土离子，AE是碱土离子，x为0.1－0.5。对亚锰酸盐中的氧含量的控制包括形成y大于3的富氧RE1－xAExMnOy区。在富氧的亚锰酸盐区中得到了低的电阻。当y小于3时，形成了高电阻。更具体地说，此工艺形成了邻接贫氧高阻亚锰酸盐区的低阻富氧亚锰酸盐区。

公开(公告)号：CN100382320C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410010431.2

申请日：2004-11-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24

Abstract: 在硅基底上与外围电路一起形成在3D RRAM中使用的存储器阵列层；沉积和形成氧化硅、底部电极材料、氧化硅、电阻器材料、氧化硅、氮化硅、氧化硅、顶部电极以及覆盖氧化物的层。多个存储器阵列层彼此层叠形成。本发明的RRAM可以在单步或两步编程过程中编程。

公开(公告)号：CN1581435A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056667.X

申请日：2004-08-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/20 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr1－xCaxMnO3层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1－xCaxMnO3结晶构造的PCMO薄膜。

公开(公告)号：CN1574295A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045716.X

申请日：2004-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  李廷凯 ,  D·R·埃文斯

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/82 ,  H01L27/115 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147

Abstract: 本发明提供一种不对称存储单元和用于形成不对称存储单元的方法。方法包括：形成具有第一面积的底部电极；在底部电极上形成电脉冲变化电阻(EPVR)材料；在EPVR层上形成具有比第一面积小的第二面积的顶部电极。在一些方面，第二面积比第一面积小至少20％。EPVR材料是诸如超大磁致电阻(CMR)材料、高温超导(HTSC)材料或钙钛矿金属氧化物材料的材料。本方法进一步包括：在电极之间感应电场；感应电流使其流过邻近顶部电极的EPVR；以及响应流过邻近顶部电极的EPVR的感应电流，调整EPVR的电阻。典型地，在100欧姆－10兆欧范围内调整电阻。

公开(公告)号：CN100353526C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410069696.X

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  大野芳睦

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  Y10S438/975

Abstract: 本发明的目的是降低快擦写存储单元的编程电压。提供了形成快擦写存储单元的方法。该方法包括：在衬底上形成第1多晶硅层的工序；通过第1多晶硅层，直至衬底中形成沟槽的工序；向沟槽中填充氧化物层的工序；在氧化物上堆积第2多晶硅层的工序。得到的结构可进行平面化。高k电介质层可堆积在第1多晶硅层上。第3多晶硅层堆积在高k电介质层上，利用光刻胶形成图形，形成快擦写存储栅极结构。形成图形过程中，露出的第2多晶硅层被蚀刻。结束除去第2多晶硅层时，检测蚀刻停止。残留下第1多晶硅层的薄层，然后利用选择性蚀刻法小心除去。可对高k电介质层形成图形，使非存储晶体管的形成成为可能。

公开(公告)号：CN100350614C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410010430.8

申请日：2004-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  潘威 ,  张风燕 ,  庄维佛 ,  李延凯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积CMR层；在该CMR层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN1316563C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410056667.X

申请日：2004-08-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/20 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr1-XCaXMnO3层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1-XCaXMnO3结晶构造的PCMO薄膜。