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公开(公告)号：CN1262683C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200310123290.0
申请日：2003-12-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/40 , H01L21/3205
CPC classification number: G11C13/0007 , C23C16/40 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1616
Abstract: MOCVD法用于形成含金属膜，含金属膜的通式是M’xM”(1-x)MyOz，其中，M’是选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Y、Sc、Yb、Lu和Gd的金属；M”是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Zn和Cd的金属；M是选自Mn、Ce、V、Fe、Co、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ni的金属；x是0-1；y是0、1或2；z是1-7的整数。MOCVD法使用选自醇盐前体、β-二酮化物前体和羰基金属前体的前体组合，生成包括电阻记忆材料的含金属膜。
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公开(公告)号：CN1497705A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03159896.X
申请日：2003-09-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/24 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/101
Abstract: 一种制造自对准交叉点存储阵列的方法包括：制备一衬底，包括形成任何支撑电极结构；在衬底上形成一p型阱区域；注入离子形成一深N+型区域；注入离子在N+型区域上形成一浅P+型区域从而形成P+/N结；在P+型区域沉积一阻挡金属层；在阻挡金属层沉积一底部电极层；在底部电极层沉积一牺牲层或氮化硅层；形成图形并对此结构进行刻蚀，从而移走牺牲层、底部电极层、阻挡金属层、P+型区域和N+型区域部分，形成一个沟槽；沉积氧化物填充沟槽；沉积一与剩余底部电极层自对准的PCMO层；沉积一顶部电极层；形成图形并对顶部电极层进行刻蚀；以及，完成存储阵列结构。
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公开(公告)号：CN100423233C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410039794.9
申请日：2004-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/10 , G11C11/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种交叉点型存储器阵列，包含：硅基底；在该基底之上形成的绝缘层；在该绝缘层中形成的纳米级沟槽；在该纳米级沟槽中在该硅基底之上形成的厚度为100nm-200nm的硅外延层；在该硅外延层之上形成的第1连接线；在该第1连接线之上形成的庞磁电阻层；在该庞磁电阻层的一部分之上形成的氮化硅层；以及与该氮化硅层邻接而在该庞磁电阻层之上形成的第2连接线。
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公开(公告)号：CN1266719C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN03110239.5
申请日：2003-04-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01F10/193 , H01F21/00 , H01F41/24 , H01L27/08 , H01L28/10 , Y10T29/4902
Abstract: 一种制作本发明的固态电感器的方法，它包括：形成底部电极；形成覆盖底部电极的超巨磁电阻(CMR)薄膜；形成覆盖所述CMR薄膜的顶部电极；对CRM薄膜加给电场处理，并响应所述电场处理，将CMR薄膜转变成CMR薄膜电感。
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公开(公告)号：CN1581435A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056667.X
申请日：2004-08-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L21/31691 , H01L28/20 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr1－xCaxMnO3层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1－xCaxMnO3结晶构造的PCMO薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1571140A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410039794.9
申请日：2004-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/10 , G11C11/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1683
Abstract: 制造纳米级阻抗交叉点型存储器阵列的方法包括：准备硅基底；在该基底上沉积氧化硅直到所规定的厚度；在该氧化硅内形成纳米级沟槽；在沟槽内沉积第1连接线；在沟槽内在该第1连接线之上沉积存储器阻抗层；在沟槽内在存储器阻抗层之上沉积第2连接线；然后完成存储器阵列。交叉点型存储器阵列，包括：硅基底；在该硅基底上形成的第1连接线；在该第1连接线上形成的特大磁阻层；在一部分该特大磁阻层上形成的氮化硅层；以及与该氮化硅层相邻而在该特大磁阻层上形成的第2连接线。
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公开(公告)号：CN1485901A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03133125.4
申请日：2003-07-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/8239
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 一种在半导体基片上形成1T1R电阻型存储阵列结构的方法，包括：a)在半导体基片上形成覆盖门氧化物的多晶硅化物/氧化物/氮化物栅层叠；b)制造邻近栅层叠的源和漏区；c)在暴露的源和漏区上进行自对准金属硅化，以形成自对准金属硅化物；d)沿着栅层叠形成氮化物侧壁；e)沉积和平面化硅氧化物绝缘层，使其和栅层叠水平；f)制作布线图案和蚀刻连接漏区的位接触点；g)沉积和平面化底电极；h)沉积电阻型存储材料层；以及i)在电阻型存储材料上形成顶电极。
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公开(公告)号：CN1453803A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03110239.5
申请日：2003-04-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01F10/193 , H01F21/00 , H01F41/24 , H01L27/08 , H01L28/10 , Y10T29/4902
Abstract: 一种制作本发明的固态电感器的方法，它包括：形成底部电极；形成覆盖底部电极的超巨磁电阻(CMR)薄膜；形成覆盖所述CMR薄膜的顶部电极；对CMR薄膜加给电场处理，并响应所述电场处理，将CMR薄膜转变成CMR薄膜电感。
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公开(公告)号：CN100350614C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410010430.8
申请日：2004-11-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1675
Abstract: 在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积CMR层；在该CMR层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该RRAM存储单元。
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公开(公告)号：CN1316563C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410056667.X
申请日：2004-08-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L21/31691 , H01L28/20 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr1-XCaXMnO3层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1-XCaXMnO3结晶构造的PCMO薄膜。
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