公开(公告)号：CN1531017A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410007398.8

申请日：2004-03-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  潘威 ,  许胜籘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/3205 ,  H01L45/00 ,  H01C7/00 ,  B32B31/00 ,  B32B33/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种在用于RRAM装置的铱基材上涂敷PCMO薄膜的方法，包括：制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱层上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室中后烘退火该基材和PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到PCMO层具有需要的厚度；退火基材和PCMO层；沉积顶电极；和完成RRAM装置。

公开(公告)号：CN1497735A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03110616.1

申请日：2003-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕 ,  李廷凯

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/105 ,  H01L21/335 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种非易失性铁电存储器件，这种存储器件消除了与漏电流相关的晶体管存储保持性能变劣的问题。本发明的铁电存储晶体管包括：具有源区、栅区和漏区的衬底；位于栅区的栅极叠层，该栅极叠层包括：包含第一高k杯和第二高k杯在内的高k绝缘体元件、封闭在所述高k绝缘体元件内的铁电元件，以及位于所述高k绝缘体元件上部的上电极；位于所述衬底和栅极叠层上方的钝化氧化物层；以及喷涂金属，用于为源区、漏区、和栅极叠层形成相应的触点。

公开(公告)号：CN1444282A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03106095.1

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  李廷凯 ,  张风燕 ,  庄维佛

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/56 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/28291 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种多晶存储结构，其包含：被覆盖提供在基质上的多晶存储层，该多晶存储层具有在临近的微晶之间形成间隙的结晶晶粒间界；和至少部分地位于间隙中的第一绝缘材料。

公开(公告)号：CN1574215A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045717.4

申请日：2004-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L27/016 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641

Abstract: 提供了一种存储单元以及用来控制存储材料的电阻性质的方法。此方法包含：形成亚锰酸盐；在氧气氛中对亚锰酸盐进行退火；响应于退火而控制亚锰酸盐中的氧含量；以及响应于氧含量而控制通过亚锰酸盐的电阻。此亚锰酸盐是通式为RE1－xAExMnOy的钙钛矿型氧化锰，其中，RE是稀土离子，AE是碱土离子，x为0.1－0.5。对亚锰酸盐中的氧含量的控制包括形成y大于3的富氧RE1－xAExMnOy区。在富氧的亚锰酸盐区中得到了低的电阻。当y小于3时，形成了高电阻。更具体地说，此工艺形成了邻接贫氧高阻亚锰酸盐区的低阻富氧亚锰酸盐区。

公开(公告)号：CN100350614C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410010430.8

申请日：2004-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  潘威 ,  张风燕 ,  庄维佛 ,  李延凯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积CMR层；在该CMR层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN1316563C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410056667.X

申请日：2004-08-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/20 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr1-XCaXMnO3层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1-XCaXMnO3结晶构造的PCMO薄膜。

公开(公告)号：CN1245764C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03110616.1

申请日：2003-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕 ,  李廷凯

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/105 ,  H01L21/335 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种非易失性铁电存储器件，这种存储器件消除了与漏电流相关的晶体管存储保持性能变劣的问题。本发明的铁电存储晶体管包括：具有源区、栅区和漏区的衬底；位于栅区的栅极叠层，该栅极叠层包括：包含第一高k杯和第二高k杯在内的高k绝缘体元件、封闭在所述高k绝缘体元件内的铁电元件，以及位于所述高k绝缘体元件上部的上电极；位于所述衬底和栅极叠层上方的钝化氧化物层；以及喷涂金属，用于为源区、漏区、和栅极叠层形成相应的触点。

公开(公告)号：CN100385668C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN03106095.1

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  李廷凯 ,  张风燕 ,  庄维佛

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/56 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/28291 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种多晶存储结构，其包含：被覆盖提供在基质上的多晶存储层，该多晶存储层具有在临近的微晶之间形成间隙的结晶晶粒间界；和至少部分地位于间隙中的第一绝缘材料。

公开(公告)号：CN100340010C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410103275.4

申请日：2004-11-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/105 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/112 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种非对称区域存储单元，和一种用于形成非对称区域存储单元的制造方法。所述方法包括：形成具有一区域的底部电极；形成覆盖所述底部电极的CMR存储薄膜，其具有非对称区域；并且，形成覆盖所述CMR薄膜具有一区域的顶部电极，所述区域小于所述底部电极区域。在一种情况下，所述CMR薄膜具有第一区域和第二区域，其中所述第一区域与所述顶部电极相邻，所述第二区域大于所述第一区域且与所述底部电极相邻。典型地，所述CMR薄膜第一区域近似等于所述顶部电极区域，尽管所述CMR薄膜第二区域可能小于所述底部电极区域。

公开(公告)号：CN1287420C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200410007398.8

申请日：2004-03-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  潘威 ,  许胜籘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/3205 ,  H01L45/00 ,  H01C7/00 ,  B32B37/00 ,  B32B33/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种在用于RRAM装置的敷有铱的基材上涂敷PCMO薄膜的方法，包括：制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱层上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室中后烘退火该基材和PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到PCMO层具有需要的厚度；退火基材和PCMO层；沉积顶电极；和完成RRAM装置。