公开(公告)号：CN1641881A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410010430.8

申请日：2004-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  潘威 ,  张风燕 ,  庄维佛 ,  李延凯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积CMR层；在该CMR层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN100350614C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410010430.8

申请日：2004-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  潘威 ,  张风燕 ,  庄维佛 ,  李延凯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积CMR层；在该CMR层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该RRAM存储单元。