公开(公告)号：CN100511643C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN03159896.X

申请日：2003-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  潘威 ,  庄维佛

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101

Abstract: 一种制造自对准交叉点存储阵列的方法包括：制备一衬底，包括形成任何支撑电子结构结构；在衬底上形成一p型阱区域；注入离子形成一深N+型区域；注入离子在N+型区域上形成一浅P+型区域从而形成P+/N结；在P+型区域沉积一阻挡金属层；在阻挡金属层沉积一底部电极层；在底部电极层沉积一牺牲层或氮化硅层；形成图形并对此结构进行刻蚀，从而移走牺牲层、底部电极层、阻挡金属层、P+型区域和N+型区域部分，形成一个沟槽；沉积氧化物填充沟槽；沉积一与剩余底部电极层自对准的PCMO层；沉积一顶部电极层；形成图形并对顶部电极层进行刻蚀；以及，完成存储阵列结构。

公开(公告)号：CN1287420C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200410007398.8

申请日：2004-03-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  潘威 ,  许胜籘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/3205 ,  H01L45/00 ,  H01C7/00 ,  B32B37/00 ,  B32B33/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种在用于RRAM装置的敷有铱的基材上涂敷PCMO薄膜的方法，包括：制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱层上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室中后烘退火该基材和PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到PCMO层具有需要的厚度；退火基材和PCMO层；沉积顶电极；和完成RRAM装置。

公开(公告)号：CN1641881A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410010430.8

申请日：2004-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  潘威 ,  张风燕 ,  庄维佛 ,  李延凯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积CMR层；在该CMR层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN1521826A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410002430.3

申请日：2004-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  潘威 ,  庄维佛

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了存储器阵列双槽隔离结构及其形成方法。该方法包含：形成p－掺杂的硅(p－Si)基材；在p－Si基材上形成n－掺杂的(n+)Si层；在形成n+Si位线之前，在n+Si层上形成p+Si层；在p+层上形成氮化硅层；在氮化硅层上形成氧化物顶层；进行氧化物顶层、氮化硅层、p+Si层和部分n+Si层的第一次选择性蚀刻，以形成n+Si位线和在位线间的位线槽；在多个n－掺杂的硅(n+Si)位线上形成金属底电极阵列，其具有居间p－掺杂的(p+)Si区域；形成多个字线氧化物隔离结构，该结构在垂直于n+Si位线且在n+Si位线上，邻近底电极，并且隔离开p+Si区域；形成多个顶电极字线，所述字线垂直于n+Si位线，其在底电极上具有夹入存储器电阻器材料；和邻近字线形成氧化物填充的字线槽。

公开(公告)号：CN1461043A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03137818.8

申请日：2003-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 庄维佛 ,  许胜籐 ,  潘威 ,  田尻雅之

IPC: H01L21/20 ,  H01L43/12 ,  C30B33/00 ,  C30B29/22

CPC classification number: C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1283 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种钙钛矿薄膜的形成方法，其包括：制备钙钛矿前体溶液；制备用于沉积钙钛矿薄膜的硅基材，其包括在所述基材上形成底部电极；在旋转涂布仪器上固定所述基材并且以预定的旋转速度旋转所述基材；将钙钛矿前体溶液注入所述旋转涂布仪器中，从而用该钙钛矿前体溶液涂布所述基材以形成涂覆基材；在从约90℃到300℃递增的温度下烘烤所述的涂覆基材；和在约500℃－800℃的温度将所述的涂覆基材退火约5－15分钟。

公开(公告)号：CN1531017A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410007398.8

申请日：2004-03-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  潘威 ,  许胜籘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/3205 ,  H01L45/00 ,  H01C7/00 ,  B32B31/00 ,  B32B33/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种在用于RRAM装置的铱基材上涂敷PCMO薄膜的方法，包括：制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱层上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室中后烘退火该基材和PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到PCMO层具有需要的厚度；退火基材和PCMO层；沉积顶电极；和完成RRAM装置。

公开(公告)号：CN1435841A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03103460.8

申请日：2003-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 潘威 ,  许胜籘

IPC: G11C11/14 ,  H01L43/00

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15

Abstract: 一种MRAM设备，其包括基底；多个包括位线和字线的导线；和包括一对磁轭结构的MTJ堆栈，其中，所说的每一个磁轭结构都环绕导线。一种制造用在MRAM结构中的磁轭结构的方法，其包括制备基底；在基底上形成第一个导线；制造MTJ堆栈，包括制造环绕第一个导线的第一个磁轭结构；在MTJ堆栈上形成第二个导线；制造环绕第二个导线的第二个磁轭结构；在该结构上沉积氧化物层；和金属化该结构。

公开(公告)号：CN107078688A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580053351.1

申请日：2015-09-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： B·惠尔赖特 ,  潘威 ,  道格拉斯·特威特

IPC: H02S40/22 ,  H02S40/44

CPC classification number: H01L31/0549 ,  F24S23/30 ,  F24S23/71 ,  F24S23/79 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  H02S40/22 ,  H02S40/44 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/60

Abstract: 一种太阳能发电方法被提供，其使用二阶聚光来驱动结合集热的聚光型光伏(CPV)转换。所述方法将于多个横向平面接收到的光线朝向与横向平面正交的轴向平面中的主线性聚焦聚集。光的T带波长被透射到主线性聚焦。光的R带波长被反射向轴向平面中的二级线性聚焦，其平行于主线性聚焦。在主线性聚焦接收到的光线被光学元件沿着与轴向平面正交的多个三级线性聚焦聚集。每个三级主聚焦中的聚焦光被聚焦进多个接收区域并被转换为电能。

公开(公告)号：CN100350614C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410010430.8

申请日：2004-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  潘威 ,  张风燕 ,  庄维佛 ,  李延凯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积CMR层；在该CMR层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN1303665C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200410002430.3

申请日：2004-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  潘威 ,  庄维佛

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了存储器阵列双槽隔离结构及其形成方法。该方法包含：形成p-掺杂的硅(p-Si)基材；在(p-Si)基材上形成n-掺杂的硅(n+Si)层；在形成(n+Si)位线之前，在(n+Si)层上形成(p+Si)层；在p+层上形成氮化硅层；在氮化硅层上形成氧化物顶层；进行氧化物顶层、氮化硅层、(p+Si)层和部分(n+Si)层的第一次选择性蚀刻，以形成(n+Si)位线和在位线间的位线槽；在多个n-掺杂的硅(n+Si)位线上形成金属底电极阵列，其具有居间p-掺杂的硅(p+Si)区域；形成多个字线氧化物隔离结构，该结构在垂直于(n+Si)位线且在(n+Si)位线上，邻近底电极，并且隔离开(p+Si)区域；形成多个顶电极字线，所述字线垂直于(n+Si)位线，其在底电极上具有夹入存储器电阻器材料；和邻近字线形成氧化物填充的字线槽。