公开(公告)号：CN104112776B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410161352.5

申请日：2014-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  R·斯瑞尼瓦萨恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795

Abstract: 公开了鳍式场效应晶体管（FinFET）结构以及其形成方法。鳍片形成在块体衬底上。晶体绝缘体层形成在块体衬底上，其中鳍片伸出外延氧化物层。围绕鳍片形成从晶体绝缘体层突出的栅。通过在晶体绝缘体层上合并鳍片而在源漏区域形成外延生长半导体区域以形成鳍片合并区域。

公开(公告)号：CN100361302C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200410087008.2

申请日：2004-10-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨美基 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  杨敏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种采用半导体-半导体直接晶片键合，形成具有不同晶向的、被导电界面分开的半导体层的混合衬底的方法。本发明还提供了由所述方法以及使用直接键合方法生产的混合衬底，而形成一种集成的半导体结构，其中，在提高器件性能的表面取向上形成各种CMOS器件。

公开(公告)号：CN1875473A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031953.9

申请日：2004-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  盖伊·科恩 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  德温得拉·萨达纳 ,  加瓦姆·沙赫迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L31/0232 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种制作绝缘体上锗(GOI)衬底材料的方法，提供了用此方法生产的GOI衬底材料以及能够包括至少本发明的GOI衬底材料的各种结构。此GOI衬底材料至少包括衬底、位于衬底顶部上的埋置绝缘层、以及位于埋置绝缘层顶部上的优选为纯锗的含锗层。在本发明的GOI衬底材料中，含锗层也可以被称为GOI膜。此GOI膜是本发明衬底材料的层，其中能够制作器件。

公开(公告)号：CN104112776A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410161352.5

申请日：2014-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  R·斯瑞尼瓦萨恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 公开了鳍式场效应晶体管（FinFET）结构以及其形成方法。鳍片形成在块体衬底上。晶体绝缘体层形成在块体衬底上，其中鳍片伸出外延氧化物层。围绕鳍片形成从晶体绝缘体层突出的栅。通过在晶体绝缘体层上合并鳍片而在源漏区域形成外延生长半导体区域以形成鳍片合并区域。

公开(公告)号：CN101000884B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710001824.0

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德温德拉·K.·萨达纳 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  基思·爱德华·弗格尔 ,  格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ,  托马斯·N.·亚当

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。

公开(公告)号：CN100399537C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200480031953.9

申请日：2004-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  盖伊·科恩 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  德温得拉·萨达纳 ,  加瓦姆·沙赫迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L31/0232 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种制作绝缘体上锗(GOI)衬底材料的方法，提供了用此方法生产的GOI衬底材料以及能够包括至少本发明的GOI衬底材料的各种结构。此GOI衬底材料至少包括衬底、位于衬底顶部上的埋置绝缘层、以及位于埋置绝缘层顶部上的优选为纯锗的含锗层。在本发明的GOI衬底材料中，含锗层也可以被称为GOI膜。此GOI膜是本发明衬底材料的层，其中能够制作器件。

公开(公告)号：CN101120442A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200580022513.1

申请日：2005-05-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·N.·亚当 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  基思·E.·佛格尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  德温德拉·K.·萨达纳 ,  加瓦姆·沙赫迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76259 ,  Y10S438/967

Abstract: 提供一种避免晶片键合的制造应变绝缘体上硅(SSOI)衬底的成本有效和可工艺制造的方法。该方法包括在衬底上生长各种外延半导体层，其中至少一层半导体层是在应变半导体层下方的掺杂且弛豫的半导体层；借助电解阳极化过程将掺杂且弛豫的半导体层转化成多孔半导体；以及氧化将多孔半导体转化成埋置氧化物层。所述方法提供了SSOI衬底，其包括在衬底上的弛豫的半导体层；在该弛豫的半导体层上的高质量埋置氧化物层；以及在该高质量埋置氧化物层上的应变半导体层。根据本发明，弛豫的半导体层和应变半导体层具有相同的晶体学取向。

公开(公告)号：CN101000884A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710001824.0

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德温德拉·K.·萨达纳 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  基思·爱德华·弗格尔 ,  格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ,  托马斯·N.·亚当

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。

公开(公告)号：CN1624921A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410087008.2

申请日：2004-10-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨美基 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  杨敏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种采用半导体－半导体直接晶片键合，形成具有不同晶向的、被导电界面分开的半导体层的混合衬底的方法。本发明还提供了由所述方法以及使用直接键合方法生产的混合衬底，而形成一种集成的半导体结构，其中，在提高器件性能的表面取向上形成各种CMOS器件。