公开(公告)号：CN100399537C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200480031953.9

申请日：2004-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  盖伊·科恩 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  德温得拉·萨达纳 ,  加瓦姆·沙赫迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L31/0232 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种制作绝缘体上锗(GOI)衬底材料的方法，提供了用此方法生产的GOI衬底材料以及能够包括至少本发明的GOI衬底材料的各种结构。此GOI衬底材料至少包括衬底、位于衬底顶部上的埋置绝缘层、以及位于埋置绝缘层顶部上的优选为纯锗的含锗层。在本发明的GOI衬底材料中，含锗层也可以被称为GOI膜。此GOI膜是本发明衬底材料的层，其中能够制作器件。

公开(公告)号：CN1875473A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031953.9

申请日：2004-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  盖伊·科恩 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  德温得拉·萨达纳 ,  加瓦姆·沙赫迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L31/0232 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种制作绝缘体上锗(GOI)衬底材料的方法，提供了用此方法生产的GOI衬底材料以及能够包括至少本发明的GOI衬底材料的各种结构。此GOI衬底材料至少包括衬底、位于衬底顶部上的埋置绝缘层、以及位于埋置绝缘层顶部上的优选为纯锗的含锗层。在本发明的GOI衬底材料中，含锗层也可以被称为GOI膜。此GOI膜是本发明衬底材料的层，其中能够制作器件。