公开(公告)号：CN104112776A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410161352.5

申请日：2014-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  R·斯瑞尼瓦萨恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 公开了鳍式场效应晶体管（FinFET）结构以及其形成方法。鳍片形成在块体衬底上。晶体绝缘体层形成在块体衬底上，其中鳍片伸出外延氧化物层。围绕鳍片形成从晶体绝缘体层突出的栅。通过在晶体绝缘体层上合并鳍片而在源漏区域形成外延生长半导体区域以形成鳍片合并区域。

公开(公告)号：CN104112776B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410161352.5

申请日：2014-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  R·斯瑞尼瓦萨恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795

Abstract: 公开了鳍式场效应晶体管（FinFET）结构以及其形成方法。鳍片形成在块体衬底上。晶体绝缘体层形成在块体衬底上，其中鳍片伸出外延氧化物层。围绕鳍片形成从晶体绝缘体层突出的栅。通过在晶体绝缘体层上合并鳍片而在源漏区域形成外延生长半导体区域以形成鳍片合并区域。