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公开(公告)号：CN101000884B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710001824.0
申请日：2007-01-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 德温德拉·K.·萨达纳 , 乔尔·P.·德索扎 , 斯蒂芬·W.·贝戴尔 , 亚历山大·雷茨尼采克 , 基思·爱德华·弗格尔 , 格哈瓦姆·G.·莎赫迪 , 托马斯·N.·亚当
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76243 , H01L29/66772 , H01L29/7849 , H01L29/78654
Abstract: 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。
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公开(公告)号：CN101000884A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710001824.0
申请日：2007-01-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 德温德拉·K.·萨达纳 , 乔尔·P.·德索扎 , 斯蒂芬·W.·贝戴尔 , 亚历山大·雷茨尼采克 , 基思·爱德华·弗格尔 , 格哈瓦姆·G.·莎赫迪 , 托马斯·N.·亚当
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76243 , H01L29/66772 , H01L29/7849 , H01L29/78654
Abstract: 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。
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公开(公告)号：CN101005052A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710002380.2
申请日：2007-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 杨海宁 , 德温德拉·K.·萨达纳 , 布赖恩·J.·格林 , 乔尔·P.·德索扎 , 基思·爱德华·弗格尔
CPC classification number: H01L29/32 , H01L21/0203 , H01L21/76259 , H01L29/1033 , H01L29/1083 , H01L29/16 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体材料，它具有现有技术SOI衬底的所有优点，包括例如低的寄生电容和漏电流，而且不具有浮体效应。更特别地，本发明提供孔上半导体(SOP)材料，它包括顶半导体层和底半导体层，其中在至少一个区域中通过多孔半导体材料分隔所述半导体层。也提供包含SOP材料作为衬底的半导体结构，以及制造SOP材料的方法。该方法包括用第一半导体层形成p型区、将p型区转变成多孔半导体材料、通过退火密封多孔半导体材料的上表面，以及在多孔半导体材料的顶上形成第二半导体层。
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公开(公告)号：CN1607638A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410085063.8
申请日：2004-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 斯蒂芬·W·贝德尔 , 基思·爱德华·弗格尔 , 布鲁斯·肯尼思·佛曼 , 萨姆帕斯·普拉斯霍萨曼 , 德温得拉·K·萨达纳 , 安娜·旺达·托普尔
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259 , Y10T428/249961
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的技术。在一个方面，提供一种层转移结构。层转移结构包括具有多孔区的载体衬底，多孔区具有调制的孔隙度以及在其中限定分离平面的注入元素。在另一个方面，提供一种形成层转移结构的方法。在又一个方面，提供一种形成三维集成结构的方法。
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