公开(公告)号：CN101000884B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710001824.0

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德温德拉·K.·萨达纳 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  基思·爱德华·弗格尔 ,  格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ,  托马斯·N.·亚当

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。

公开(公告)号：CN101000884A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710001824.0

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德温德拉·K.·萨达纳 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  基思·爱德华·弗格尔 ,  格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ,  托马斯·N.·亚当

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。